[發明專利]封裝基板的制法有效
| 申請號: | 201210008727.5 | 申請日: | 2012-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN103208429A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 顏立盛;王道子 | 申請(專利權)人: | 聯致科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 制法 | ||
技術領域
本發明涉及一種封裝基板的制法,尤指一種利于產品薄化的封裝基板的制法。
背景技術
隨著電子產業的蓬勃發展,電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿足半導體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求,朝著降低承載芯片的封裝基板的厚度發展。目前用于承載芯片的封裝基板可分為硬質材與軟質材,一般用于球柵陣列封裝(Ball?Grid?Array,BGA)的封裝基板是選擇硬質材。
請參閱圖1A至圖1C,其為現有雙層線路的封裝基板1的制法的剖面示意圖。
如圖1A所示,首先,提供兩芯層10,各該芯層10具有相對的第一表面10a與第二表面10b,且該芯層10的第一與第二表面10a,10b上分別具有一第一金屬層11a與一第二金屬層11b,又該芯層10具有連通該第一及第二表面10a,10b的多個貫穿孔100。
如圖1B所示,進行圖案化工藝,以借由該第一與第二金屬層11a,11b(利用導電層12進行電鍍金屬),于該芯層10的第一及第二表面10a,10b上分別形成一第一及第二線路層13a,13b,且于該些貫穿孔100中形成導電通孔14以電性連接該第一及第二線路層13a,13b,又該第一及第二線路層13a,13b分別具有多個第一及第二電性接觸墊130a,130b。
如圖1C所示,于該芯層10的第一及第二表面10a,10b上分別形成一第一及第二絕緣保護層15a,15b,且該第一及第二絕緣保護層15a,15b分別具有多個第一及第二開孔150a,150b,以令該些第一及第二電性接觸墊130a,130b對應外露出各該第一及第二開孔150a,150b。接著,于該些第一及第二電性接觸墊130a,130b的外露表面上分別形成一第一及第二表面處理層16a,16b。
于后續工藝中,通過于該第二絕緣保護層15b上承載芯片并進行封裝工藝,以制成封裝結構。為了符合微小化與可靠度的需求,于目前工藝技術中,該芯層10的厚度S可縮小至60μm。
然而,隨著微小化的需求增加,厚度S為60μm的芯層10已無法滿足現今對封裝件微小化的需求,但若使該芯層10的厚度S小于60μm,則該封裝基板1的厚度R將小于150μm,導致該封裝基板1于運送時或封裝時將因太薄而容易破裂,導致無法使用或產品不良。
因此,如何克服上述現有技術無法同時滿足產品微小化與可靠度的需求的技術瓶頸,實已成目前亟欲解決的課題。
發明內容
鑒于上述現有技術的種種缺失,本發明的主要目的在于提供一種封裝基板的制法,以避免于運送時或封裝時因太薄而破裂。
本發明所提供的封裝基板的制法包括:提供兩芯層,各該芯層具有相對的第一與第二表面;借由連接件連接該兩芯層的第二表面;于各該第一表面上形成第一線路層;于各該第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護層,且外露該第一線路層的部分表面;于各該第一絕緣保護層上借由粘著層結合一承載件;移除該連接件,以分離出兩基板本體;形成貫穿該芯層的貫穿孔,以令該第一線路層外露于該貫穿孔;形成第二線路層于該第二表面上,且于該貫穿孔中形成導電通孔以電性連接該第一及第二線路層;于該第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護層,且外露該第二線路層的部分表面。
依上述制法,可于制作該第二線路層的前,先將該兩基板本體的承載件借由結合件相迭接。
前述的制法中,制成該粘著層的材質可為強力膠或離型劑,且制成該承載件的材質可為耐高溫材。
前述的制法中,各該芯層的第一與第二表面上可具有金屬層,以借該金屬層分別形成該第一及第二線路層。
另外,前述的制法可包括形成表面處理層于該第一及第二線路層的外露表面上。
由上可知,本發明的封裝基板的制法,借由在該封裝基板的第一絕緣保護層上結合承載件,以避免于運送時或封裝時因太薄而破裂。此外,于封裝后再移除該承載件,此時的封裝基板的厚度小于150μm,所以相比于現有技術,可降低封裝結構的整體厚度。因此,借由本發明的封裝基板的制法可同時滿足產品微小化與可靠度的需求。
附圖說明
圖1A至圖1C為現有雙層線路的封裝基板的制法的剖視示意圖;
圖2A至圖2J為本發明封裝基板的制法的剖視示意圖;圖2F’為圖2F的另一實施例;以及
圖3A至圖3C為本發明封裝基板的制法的另一實施例的剖視示意圖。
主要組件符號說明
1,2????????封裝基板
10,20??????芯層
10a,20a????第一表面
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





