[發明專利]封裝基板的制法有效
| 申請號: | 201210008727.5 | 申請日: | 2012-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN103208429A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 顏立盛;王道子 | 申請(專利權)人: | 聯致科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 制法 | ||
1.一種封裝基板的制法,其包括:
提供兩芯層,各該芯層具有相對的第一表面與第二表面;
以連接件連接該兩芯層的第二表面,以借該連接件連接該兩芯層;
于各該芯層的第一表面上形成第一線路層;
于各該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護層,且令部分的該第一線路層外露于該第一絕緣保護層;
于各該第一絕緣保護層上借由粘著層結合一承載件;
移除該連接件,以分離并形成兩各為該芯層、第一線路層、第一絕緣保護層及承載件所構成的基板本體;
以結合件連結該兩基板本體的承載件,以借由該結合件結合該兩基板本體,以外露出各該芯層的第二表面;
于各該芯層的第二表面上形成多個貫穿各該芯層的貫穿孔,以令該第一線路層外露于該貫穿孔;
形成第二線路層于各該芯層的第二表面上,且于該貫穿孔中形成導電通孔以電性連接該第一及第二線路層;
于各該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護層,并令部分的該第二線路層外露于該第二絕緣保護層;以及
移除該結合件,以分離并形成二各由該芯層、第一與第二線路層、第一與第二絕緣保護層及承載件所構成的封裝基板。
2.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,該結合件為粘著凸塊或膠層。
3.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,制成該粘著層的材質為強力膠或離型劑。
4.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,制成該承載件的材質為耐高溫材。
5.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,各該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層,以借該第一及第二金屬層分別形成該第一及第二線路層,且該第一及第二線路層分別具有第一及第二電性接觸墊。
6.一種封裝基板的制法,其包括:
提供兩芯層,各該芯層具有相對的第一表面與第二表面;
以連接件連接該兩芯層的第二表面,以借該連接件連接該兩芯層;
于各該芯層的第一表面上形成第一線路層;
于各該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護層,且令部分的該第一線路層外露于該第一絕緣保護層;
于各該第一絕緣保護層上借由粘著層結合一承載件;
移除該連接件,以分離并形成兩各為該芯層、第一線路層、第一絕緣保護層及承載件所構成的基板本體;
于該芯層的第二表面上形成多個貫穿該芯層的貫穿孔,以令該第一線路層外露于該貫穿孔;
形成第二線路層于該芯層的第二表面上,且于該貫穿孔中形成導電通孔以電性連接該第一及第二線路層;以及
于該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護層,并令部分的該第二線路層外露于該第二絕緣保護層,以形成由該芯層、第一與第二線路層、第一與第二絕緣保護層及承載件所構成的兩封裝基板。
7.根據權利要求6所述的封裝基板的制法,其特征在于,制成該粘著層的材質為強力膠或離型劑。
8.根據權利要求6所述的封裝基板的制法,其特征在于,制成該承載件的材質為耐高溫材。
9.根據權利要求6所述的封裝基板的制法,其特征在于,各該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層,以借該第一及第二金屬層分別形成該第一及第二線路層,且該第一及第二線路層分別具有第一及第二電性接觸墊。
10.根據權利要求6所述的封裝基板的制法,其特征在于,該制法還包括形成表面處理層于該第一及第二線路層的外露于該第一及第二絕緣保護層的表面上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯致科技股份有限公司,未經聯致科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210008727.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:金剛烷多元醇的制造方法
- 下一篇:用于可溶性液體除草劑的增效劑
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





