[發明專利]位相差膜的制法無效
申請號: | 201210008547.7 | 申請日: | 2012-01-11 |
公開(公告)號: | CN103207425A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
發明(設計)人: | 張建成;陳秋芳;邱大任;洪維澤 | 申請(專利權)人: | 遠東新世紀股份有限公司 |
主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30 |
代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;羅會英 |
地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 相差 制法 | ||
技術領域
本發明涉及一種位相差膜(retardation?film)的制法,特別是涉及一種具有兩種配向方向的位相差膜的制法。
背景技術
由于液晶分子在不同軸向上具有不同的折射率(稱為復折射性或雙折射性),使得光通過液晶分子時,光的偏極方向被改變并發生光學延遲現象(optical?retardation),因而產生位相差。一般,經配向的液晶分子,因其沿著配向方向進行順向性排列,因此具有均一的雙折射性(birefringence),所以可以被應用做為位相差膜。
一般位相差膜的制法包括利用多次摩擦配向法(如美國專利US6222672)、液晶ISO相制作法(如美國專利US?5926241)或機械加工法(如日本專利JP?2001-100150)等,但這些制法常有過于繁復、易受污染及良率低等問題。
因此,目前另發展出一種利用簡易的光配向法來制備位相差膜,以有效避免上述常見的工藝問題。該光配向法是通過涂布液晶于一經配向的光配向層(photo-alignment?layer)上,使液晶分子進行順向性排列后,再將其固化后則可制得位相差膜。另外,此種光配向法也可用于制備同時具有兩種配向方向的位相差膜,一般此種位相差膜并不易由前述的其他配向法所制得。例如中國臺灣專利公告第593641號所公開,該位相差膜的制法是在圖樣化光罩的遮蔽下,將光配向層曝露于具有第一偏極方向的第一線性偏極紫外光(polarized?ultraviolet)下4分鐘,使該光配向層受到照射的區域具有第一配向;接著移除光罩后,將該光配向層曝露于具有第二偏極方向的第二線性偏極紫外光下30秒,以得到具有不同配向的光配向層;然后再經由前述涂布液晶并固化的步驟制得位相差膜。
在上述光配向法中,為避免該具有第一配向的區域在第二線性偏極紫外光的照射下改變配向,所以必須控制該第一線性偏極紫外光的照射,使其足以將該具有第一配向的區域完全固化(即固定配向)。然而,目前市售的偏極紫外光曝照設備,其曝照功率較低而遠不及于一般紫外光設備的曝照功率,因此通常需要耗費較長的曝光時間,因而不利于產線卷對卷(on-line?roll?to?roll)的連續操作。此外,一般線性偏極紫外光的曝照設備均較昂貴,若欲使第一配向的區域完全固化,即需要較高的曝照能量,而容易致使曝照用的燈管耗損,增加設備的維護成本,且此實施方法相當耗能。由以上陳述可知,運用現有光配向法來制備具有兩種配向的位相差膜仍存在諸多問題(如制備時間長等),而需就此提出更符合業界要求的制法。
發明內容
鑒于前述運用光配向法來制備具有兩種配向的位相差膜于制備時間及能量上的耗費,本案發明人嘗試就前述工藝提出改良方法,也就是縮短整體所需的照射時間,以更有效率地達成具有兩種配向方向的位相差膜的工藝。
本發明的目的在于提供一種位相差膜的制法,其包含:
(a)在基材上形成光配向層,該光配向層具有遠離該基材的配向面,該配向面具有欲配向的多個第一區與多個第二區;
(b)將該光配向層的所述第一區與所述第二區曝露于具有第一偏極方向的第一線性偏極紫外光下,使該光配向層的所述第一區與所述第二區具有第一配向;
(c)在圖樣化光罩的遮蔽下,將該具有第一配向的光配向層的所述第二區曝露于具有不同于該第一偏極方向的第二偏極方向的第二線性偏極紫外光下,使該光配向層的所述第二區轉變為具有第二配向,而所述第一區仍維持具有第一配向,借此,使得光配向層具有兩種不同的配向方向區;及
(d)將液晶涂布于該具有兩種配向的光配向層上,再使該液晶固化,得到具有兩種配向方向的位相差膜。
較佳地,該基材的材料是選自纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、醋酸酯系樹脂、聚醚砜系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫系樹脂、聚二氯乙烯系樹脂或甲基丙烯酸系樹脂。
較佳地,該基材的種類是選自離型膜、偏光板、保護膜、擴散膜、擴散板、導光板、增亮膜、可撓式面板或觸控面板。
較佳地,該步驟(a)中的光配向層是由光致異構型材料所形成。
較佳地,該步驟(a)中的光配向層是由偶氮苯系樹脂所形成。
較佳地,該光配向層在步驟(b)中曝露于該第一線性偏極紫外光的累積曝光能量為不高于160mJ/cm2。
較佳地,該光配向層在步驟(b)中曝露于該第一線性偏極紫外光的累積曝光能量的范圍為10-150mJ/cm2。
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