[發明專利]封裝基板及其制法

有效

• 申請號: 201210008456.3
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN103208428A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 劉智文;游志勛
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H05K3/46;H01L23/498;H05K1/02
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本發明涉及一種封裝基板及其制法，尤指一種用以承載半導體芯片的封裝基板及其制法。

背景技術

隨著電子產品朝多功能、高性能的發展，半導體封裝結構對應開發出不同的封裝型態，例如倒裝芯片封裝(Flip?Chip?Package)、打線接合(Wire?Bond)等。在現行技術中，半導體集成電路(IC)芯片的表面上配置有電極墊(electronic?pad)，而封裝基板也具有相對應的電性接觸墊，在該芯片與封裝基板之間可以焊錫凸塊(倒裝芯片式)或金線(打線式)，使該芯片電性連接該封裝基板上。一般封裝基板的電性接觸墊上會先形成表面處理層以防止氧化，再進行后續的打線或倒裝芯片工藝。

請參閱圖1A及圖1B，其為現有封裝基板1的制法。如圖1A所示，提供一具有相對的第一表面10a及第二表面10b的基板本體10，該基板本體10的第一及第二表面10a，10b上具有線路層12，且于該基板本體10中形成電性連接該線路層12的導電通孔120，又該線路層12具有多個電性接觸墊122與一外接部121。

接著，進行圖案化工藝，于該基板本體10的第一及第二表面10a，10b上形成光阻(圖未示)，且外露出該電性接觸墊122及其周圍線路表面，再于該外接部121上電性連接電鍍裝置(圖未示)，以借該導電通孔120導通該第一及第二表面10a，10b上的線路層12，而于該電性接觸墊122上電鍍形成表面處理層14。

接著，于該基板本體10及該線路層12上形成絕緣保護層13，且該絕緣保護層13形成有多個開孔130，令該電性接觸墊122與外接部121對應外露于各該開孔130。

如圖1B所示，移除該外接部121。于后續封裝工藝中，可于該封裝基板1的其中一側的絕緣保護層13上設置半導體芯片(圖未示)，并且該電性接觸墊122以倒裝芯片或打線方式電性連接半導體芯片，再于該絕緣保護層13上形成封裝膠體(圖未示)以包覆半導體芯片；而該封裝基板1的另一側的電性接觸墊122則植設多個焊球(圖未示)以電性連接如電路板的電子裝置(圖未示)。

當進行植設焊球或倒裝芯片工藝時，通常須于該封裝基板1的電性接觸墊122(可為植球墊或倒裝芯片焊墊)上預先形成預焊錫凸塊，并在足以使該預焊錫凸塊熔融的回焊(solder?reflow)溫度條件下，將預焊錫凸塊回焊至相對應的金屬凸塊，從而形成焊錫接，以實現封裝基板與其它組件的耦合，確保封裝基板的電性連接的完整性與可靠性。

然而，現有封裝基板1的制法中，移除該外接部121后，使得該絕緣保護層13的表面出現凹陷h，當后續工藝中，芯片設于該絕緣保護層13上時，應力將會集中于該凹陷h的周圍，導致該絕緣保護層13于該凹陷h周圍處出現破裂，因而影響產品的可靠度，嚴重時，產品需作廢。

此外，于后續工藝中形成封裝膠體時，膠材容易流至該凹陷h中，因而無法控制該膠材的流向，導致該封裝膠體的結構出現異常現象。

再者，現有封裝基板1的制法中，因先形成表面處理層14，再形成絕緣保護層13，所以絕緣保護層13會覆蓋該表面處理層14的部分材質，導致該絕緣保護層13因與該表面處理層14結合不良而易于該表面處理層14處脫層。

因此，如何克服上述現有技術中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

鑒于上述現有技術的缺失，本發明的主要目的在于提供一種封裝基板及其制法，保持該絕緣保護層表面的平整性，而提升產品的可靠度。

本發明所提供的封裝基板的制法為先形成絕緣保護層，再形成表面處理層，接著移除該外接部，再于該基板本體的外露表面與絕緣保護層上形成另一絕緣保護層，且該另一絕緣保護層形成有對應該絕緣保護層的開孔的另一絕緣保護層開孔，令該電性接觸墊外露于兩連通的開孔。

本發明依前述的制法提供一種封裝基板，其中，該另一絕緣保護層開孔之孔徑大于該絕緣保護層開孔之孔徑。

由上可知，本發明的封裝基板及其制法中，借由移除該外接部后，再形成另一絕緣保護層，以填平該絕緣保護層表面的凹陷，當后續工藝中，芯片設于該另一絕緣保護層上時，應力將不會集中于原本的凹陷周圍，因而可避免該絕緣保護層出現破裂，所以可提升產品可靠度，且可避免產品作廢。

此外，于后續工藝中形成封裝膠體時，膠材不會流至該凹陷中，因而可有效控制膠材的流向，以避免封裝膠體的結構出現異常現象。

再者，本發明的制法，先形成絕緣保護層，再形成表面處理層，所以該絕緣保護層不會覆蓋該表面處理層的部分材質，可避免如現有技術中的絕緣保護層脫層的問題。

附圖說明