[發明專利]封裝基板及其制法有效
| 申請號: | 201210008456.3 | 申請日: | 2012-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN103208428A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 劉智文;游志勛 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/46;H01L23/498;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 及其 制法 | ||
1.一種封裝基板的制法,其包括:
于一基板本體的表面上形成線路層,且該線路層具有多個電性接觸墊與外接部;
于該基板本體的部分表面及該線路層上形成第一絕緣保護層,且該第一絕緣保護層形成有多個第一開孔,令該電性接觸墊與外接部外露于該第一開孔;
于該外接部上電性連接電鍍裝置,以于該電性接觸墊上電鍍形成表面處理層;
移除該外接部,以外露出該基板本體的部分表面;以及
于該基板本體的外露表面與第一絕緣保護層上形成第二絕緣保護層,且該第二絕緣保護層形成有對應該第一開孔的多個第二開孔,令該電性接觸墊外露于該第一與第二開孔。
2.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,該基板本體具有相對的第一表面及第二表面,且該線路層分別形成于該基板本體的第一表面及第二表面上。
3.根據權利要求2所述的封裝基板的制法,其特征在于,該基板本體同時形成有多個導電通孔,以電性連接該基板本體的第一及第二表面上的線路層。
4.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,該第二開孔的孔徑大于該第一開孔的孔徑。
5.根據權利要求1所述的封裝基板的制法,其特征在于,是以影像轉移或噴印圖案的方法形成該第一與第二絕緣保護層。
6.一種封裝基板,其包括:
基板本體;
線路層,形成于該基板本體的部分表面上,且具有多個電性接觸墊;
第一絕緣保護層,形成于該基板本體的部分表面及該線路層上,且該第一絕緣保護層在該線路層上形成有多個第一開孔,令該電性接觸墊外露于該第一開孔;
表面處理層,形成于該電性接觸墊上;以及
第二絕緣保護層,形成于該基板本體的部分表面與第一絕緣保護層上,且該第二絕緣保護層形成有對應該第一開孔的多個第二開孔,令該電性接觸墊外露于該第一與第二開孔,且該第二開孔的孔徑大于該第一開孔的孔徑。
7.根據權利要求6所述的封裝基板,其特征在于,該基板本體具有相對的第一表面及第二表面,且該線路層分別形成于該基板本體的第一表面及第二表面上。
8.根據權利要求7所述的封裝基板,其特征在于,該基板本體中具有多個導電通孔,以電性連接該基板本體的第一及第二表面上的線路層。
9.根據權利要求8所述的封裝基板,其特征在于,該導電通孔中具有塞孔材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





