[發明專利]一種氧化鋅薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201210008323.6
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102544108A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 韓德棟;蔡劍;王漪;王薇;王亮亮;任奕成;張盛東;劉曉彥;康晉鋒
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/77
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種氧化鋅薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟：

1)在玻璃襯底上生長一層半導體緩沖層；

2)在半導體緩沖層上生長一層透明導電薄膜，然后光刻和刻蝕形成源、漏電極；

3)甩一層光刻膠，在源、漏電極之間，且包含部分源漏電極的區域內無光刻膠，其余區域被光刻膠覆蓋，然后顯影，未被光刻膠覆蓋的區域為未來的溝道區；

4)濺射生長一層氧化鋅及其摻雜的半導體材料層作為半導體導電溝道層；

5)在半導體材料層之上生長一層二氧化硅、氮化硅、高介電常數絕緣材料介質層或它們的疊層組合作為柵介質層；

6)在柵介質層之上生長一層透明導電薄膜作為柵電極層；

7)剝離工藝去除生長在光刻膠之上的半導體材料層、柵介質層和柵電極層；

8)生長一層鈍化介質層，光刻、刻蝕形成柵、源和漏的引出孔；

9)生長一層金屬薄膜，光刻和刻蝕形成金屬電極和互連。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)所生長的半導體緩沖層為氧化鋅及其摻雜半導體材料。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)和步驟7)所生長的導電薄膜是透明導電材料ITO或金屬Al、Cr、Mo。