[發明專利]封裝基板及其制法

無效

• 申請號: 201210008303.9
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN103208475A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 黃培彰;劉文芳;余丞博;吳明豪
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H05K3/46;H05K1/02
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本發明涉及一種封裝基板的制法，尤指一種具有供放置電子組件的開口的封裝基板的制法。

背景技術

隨著半導體封裝技術的演進，半導體裝置(Semiconductor?device)已開發出不同的封裝型態，而為降低封裝高度以滿足產品微小化(或薄化)的需求，遂提供一具有開口的封裝基板中，再將電子組件嵌埋于該開口中，而此種封裝件不僅能縮減整體半導體裝置的體積，且能提升電性功能，遂成為一種封裝的趨勢。

請參閱圖1A及圖1B，其為現有制作光電路板(Opto-electrical?circuit?board，OECB)的封裝基板1的制法。如圖1A所示，于一具有波導線路(wave?guide)13的線路板10上定義出預開口區A，再借由CO₂激光，燒灼移除該預開口區A上的材質。如第1B圖所示，當完全移除該預開口區A上的材質后，即形成開口100，以放置耦合組件(couple?device，CD)，以供電性連接該波導線路13。其中，該開口100的長度為7.5mm，而寬度為3.5mm。

然而，現有封裝基板1的制法中，于制作該開口100時，需以激光燒灼該預開口區A上的所有材質，因局限于激光設備的功能與線路板10的材質，導致工藝時間冗長，約需耗費2分鐘，所以不符合量產的效益。

此外，以激光燒灼該預開口區A上的所有材質，因激光每一次的燒灼范圍不一，而使部分區域會重復燒灼，所以該開口100的孔壁100a容易呈現傾斜或凹凸不平的壁面，以致于當放置耦合組件(圖未示)時，會降低該耦合組件傳輸效率。

因此，如何克服上述現有技術中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

鑒于上述現有技術的缺失，本發明的主要目的在于提供一種封裝基板及其制法，以縮短工藝時間，利于量產。

本發明所提供的封裝基板的制法，通過于該芯層的預開口區上形成剝離材，再于該芯層及剝離材上依序形成波導線路與增層結構，接著沿該預開口區的邊緣進行切割，以借由該剝離材一并移除該剝離材及其上的材質，而形成開口。

依前述制法，本發明還提供一種封裝基板，其開口的孔壁垂直于該波導線路。

由上可知，本發明封裝基板及其制法，主要借由將剝離材設于該預開口區上，以于切割工藝時，僅需沿該預開口區的邊緣進行切割，即可將剝離材及其上方的材質一并移除而形成開口，所以相比于現有技術，本發明的制法不用燒灼該預開口區上方的全部材質，因而可縮短工藝時間，以利于量產。

此外，本發明僅需沿該預開口區的邊緣進行激光切割，而無需完全燒灼該預開口區上方的材質，所以相比于現有技術，本發明的激光切割不會重復燒灼同一處，因而該開口的孔壁垂直于該波導線路，可避免電子組件碰撞該開口的孔壁。

附圖說明

圖1A至圖1B為現有封裝基板的制法的剖視示意圖；

圖2A至圖2C為本發明封裝基板的制法的局部放大剖面示意圖；

其中，圖2A’為本發明封裝基板(未形成增層結構)的整版面上視示意圖；以及

圖3為本發明封裝基板的制法的整版面剖面示意圖。

主要組件符號說明

1，2????????封裝基板

10??????????線路板

100，200????開口

100a，200a????????孔壁

13，23，23’??????波導線路

20????????????????芯層

20a???????????????第一表面

20b???????????????第二表面

21????????????????第一圖案化線路層

210???????????????導電通孔

22????????????????剝離材

24????????????????增層結構

240，240’????????介電層

241???????????????第二圖案化線路層

241’?????????????金屬層

242???????????????導電盲孔

25????????????????金屬箔

A?????????????????預開口區。

具體實施方式

以下借由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點及功效。