[發明專利]半導體放電器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210007059.4
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN102593124A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: A.馬丁;A.許茨;G.齊默曼
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種半導體結構，包括：

阱區段，包括布置在襯底中的多個晶體管；以及

包括第一晶體管的第一放電器件，所述第一晶體管具有第一源極/漏極區段、第二源極/漏極區段以及第一柵極區段，其中第一源極/漏極區段耦合到阱區段，其中第二源極/漏極區段耦合到低電壓節點，其中第一柵極區段耦合到第一天線。

2.權利要求1的半導體結構，其中第一晶體管是n溝道金屬絕緣體半導體晶體管，其中第一天線包括布置在第一柵極區段之上的金屬化層內的通孔和金屬線，并且其中在每一個金屬化層中，通孔的表面積相對于金屬線的表面積被最大化。

3.權利要求1的半導體結構，其中第一晶體管被布置在第三阱區段內，所述第三阱區段被布置在第二阱區段內，所述第二阱區段被布置在第一阱區段內。

4.權利要求3的半導體結構，其中第一天線經由金屬化層的最后金屬水平耦合到接地電勢節點并且被配置成關斷第一晶體管。

5.權利要求1的半導體結構，其中第一晶體管是p溝道金屬絕緣體半導體晶體管，其中第一天線包括布置在第一柵極區段之上的金屬化層內的通孔和金屬線，并且其中在每一個金屬化層中金屬線的表面積大于通孔的表面積，其中通孔的面積被配置成針對給定的設計規則最小化。

6.權利要求1的半導體結構，其中第一源極/漏極區段耦合到與阱區段具有相同摻雜的阱接觸部。

7.權利要求1的半導體結構，其中所述低電壓節點是接地電勢節點。

8.權利要求1的半導體結構，還包括第二晶體管，所述第二晶體管具有第三源極/漏極區段、第四源極/漏極區段和第二柵極區段，其中第三源極/漏極區段耦合到阱區段，其中第四源極/漏極區段耦合到低電壓節點，其中第二柵極區段耦合到第二天線。

9.權利要求8的半導體結構，其中第一晶體管是p溝道金屬絕緣體半導體晶體管，并且其中第二晶體管是n溝道金屬絕緣體半導體晶體管。

10.權利要求1的半導體結構，其中第一放電器件通過襯底的低摻雜或本征區段與阱區段隔離。

11.權利要求1的半導體結構，其中第一放電器件通過深溝槽與阱區段隔離。

12.權利要求1的半導體結構，其中所述襯底是大塊硅襯底。

13.一種制造半導體結構的方法，所述方法包括：

在襯底的第一區段中形成包括多個晶體管的第一阱區段；

在襯底的第二區段中形成第二阱區段；

在襯底中形成第一放電器件，所述第一放電器件耦合在第一阱區段與第二阱區段之間；以及

在制造所述半導體結構的后續步驟期間，通過第一放電器件將來自第一阱區段的電荷轉移到第二阱區段。

14.權利要求13的方法，其中第一放電器件包括第一晶體管，所述第一晶體管具有第一源極/漏極區段、第二源極/漏極區段以及第一柵極區段，其中第一源極/漏極區段耦合到第一阱區段，其中第二源極/漏極區段耦合到第二阱區段，其中第一柵極區段耦合到第一天線。

15.權利要求14的方法，其中第二阱區段包括第二晶體管，所述第二晶體管具有耦合到第一阱區段中的多個晶體管的柵極電極。

16.權利要求14的方法，其中第一放電器件是n溝道晶體管。

17.權利要求16的方法，其中第一天線包括布置在第一柵極區段之上的金屬化層內的通孔和金屬線，并且其中在每一個金屬化層中，通孔的表面積相對于金屬線的表面積被最大化。

18.權利要求14的方法，其中第一放電器件是p溝道晶體管。

19.權利要求18的方法，其中第一天線包括布置在第一柵極區段之上的金屬化層內的通孔和金屬線，并且其中在每一個金屬化層中，金屬線的表面積大于通孔的表面積，并且其中所述通孔被配置成針對給定的設計規則最小化通孔的表面積。

20.權利要求13的方法，其中第一阱區段和第二阱區段通過深溝槽區段分離。

21.權利要求13的方法，其中第一阱區段和第二阱區段通過隔離區段分離。

22.權利要求13的方法，其中第一阱區段和第二阱區段通過襯底的低摻雜或本征區段分離。