[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)和制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210006247.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102522482A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐懷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市光峰光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)和制造方法。
背景技術(shù)
目前發(fā)光二極管(LED,light?emitting?diode)在各個(gè)領(lǐng)域、尤其是照明領(lǐng)域已經(jīng)得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。然而隨著對(duì)發(fā)光二極管的亮度要求越來(lái)越高,單顆發(fā)光二極管的功率越來(lái)越大,散熱問(wèn)題逐漸成為制約發(fā)光二極管亮度和壽命的主要瓶頸,如何為發(fā)光二極管芯片散熱也成為人們研究的重點(diǎn)。
目前的做法是,將LED芯片固定于一個(gè)支架上,再將該支架固定于一個(gè)金屬PCB板(MCPCB,metal?core?PCB)上。為了最大程度的降低熱阻,LED芯片與支架之間使用銀膠粘接,或使用錫膏焊接,或使用共晶焊料焊接,同時(shí)在支架與金屬PCB板之間使用錫膏焊接。如中國(guó)專利200710124275、200920290284、200910201685、200720172014、201020645033分別提出了上述的焊接固定方法。
然而,直接應(yīng)用上述方法會(huì)帶來(lái)如下問(wèn)題。由于LED芯片和支架之間焊接固定后,還需要在支架與MCPCB之間的焊接過(guò)程中承受高溫,此時(shí)LED芯片與支架之間的焊料會(huì)發(fā)生再次熔化,此時(shí)LED芯片的位置可能發(fā)生微量的移動(dòng)或翹起。
上述問(wèn)題對(duì)于通用照明燈具來(lái)說(shuō)基本沒(méi)有影響,因?yàn)長(zhǎng)ED芯片的位置微量移動(dòng)或翹起并不會(huì)對(duì)發(fā)光亮度、熱阻等造成影響。然而,對(duì)于特殊的應(yīng)用情況則完全不同。例如投影機(jī)中使用的LED芯片陣列,就要求每一顆LED芯片精確定位,任何微量的偏移都會(huì)造成在光能量無(wú)法入射到顯示芯片上而造成能量損失。
因此,需要一種新的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)和制造方法來(lái)解決上述問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的主要技術(shù)問(wèn)題是LED芯片在封裝過(guò)程中的位移問(wèn)題,這導(dǎo)致LED芯片無(wú)法精確定位。
本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括發(fā)光二極管芯片和支架,該支架包括第一焊接面和第二焊接面,還包括用于將該發(fā)光二極管芯片固定于支架的第一焊接面上的第一焊接材料,該第一焊接材料在焊接完成后所能承受的環(huán)境溫度上限為第一溫度。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)熱基板,該導(dǎo)熱基板包括第三焊接面,還包括用于將支架的第二焊接面固定于該導(dǎo)熱基板的第三焊接面上的第二焊接材料,該第二焊接材料在焊接過(guò)程中的最高溫度為第二溫度。其中,第一溫度高于第二溫度,并且第一溫度與第二溫度的溫度差高于10攝氏度。
本發(fā)明還提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟:
步驟一:使用第一焊接材料將發(fā)光二極管芯片固定于支架的第一焊接面上;步驟一完成后,第一焊接材料所能承受的環(huán)境溫度上限為第一溫度;
步驟二:使用第二焊接材料將支架的第二焊接面固定于導(dǎo)熱基板的第三焊接面上;
在步驟二的焊接過(guò)程中的最高溫度比第一溫度低10攝氏度以上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明包括如下有益效果:
在本發(fā)明中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中,LED芯片可以精確定位;在本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的制造過(guò)程中,LED芯片不會(huì)發(fā)生由于焊接材料的熔化而發(fā)生位移。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖;
圖2是第一焊接材料的焊接回流曲線的一個(gè)舉例;
圖3是第二焊接材料的焊接回流曲線的一個(gè)舉例;
圖4是本發(fā)明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖;
圖5是圖4所示的流程圖的細(xì)化流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖如圖1所示。其中,發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100中包括發(fā)光二極管芯片101,支架102,導(dǎo)熱基板107。為了焊接和LED線路的引出,支架102的第一焊接面102a上鍍有帶有形狀金屬鍍層104。第一焊接材料105填充于發(fā)光二極管芯片101和支架102之間,用于將發(fā)光二極管芯片101固定于支架102的第一焊接面102a上。第二焊接材料106填充于支架102和導(dǎo)熱基板107之間,用于將支架102的第二焊接面102b固定于導(dǎo)熱基板107的第三焊接面107a上。
在本發(fā)明中,第一焊接材料在焊接完成后所能承受的環(huán)境溫度上限為第一溫度,而第二焊接材料在焊接過(guò)程中的最高溫度為第二溫度。第一溫度高于第二溫度,并且第一溫度與第二溫度的溫度差高于10攝氏度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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