[發明專利]發光二極管封裝結構和制造方法無效
| 申請號： | 201210006247.5 | 申請日： | 2012-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN102522482A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 唐懷 | 申請（專利權）人： | 深圳市光峰光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 封裝 結構 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管封裝結構，其特征在于，包括：
發光二極管芯片；
支架，所述支架包括第一焊接面和第二焊接面；
用于將所述發光二極管芯片固定于所述支架的第一焊接面上的第一焊接材料，該第一焊接材料在焊接完成后所能承受的環境溫度上限為第一溫度；
導熱基板，所述導熱基板包括第三焊接面；
用于將所述支架的第二焊接面固定于所述導熱基板的第三焊接面上的第二焊接材料，該第二焊接材料在焊接過程中的最高溫度為第二溫度；
所述第一溫度高于所述第二溫度，并且第一溫度與第二溫度的溫度差高于10攝氏度。
2.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一焊接材料為金錫合金。
3.根據權利要求2所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述金錫合金中金的質量百分比為80％，錫的質量百分比為20％。
4.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述第二焊接材料為如下成分的焊膏中的任意一種：SnAgCu，SnAg，SnPb，SnBi，SnBiCu。
5.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述第二焊接材料為無鉛焊膏。
6.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述支架的材料為銅、鋁、氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷中的一種。
7.一種發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一：使用第一焊接材料將發光二極管芯片固定于支架的第一焊接面上；步驟一完成后，所述第一焊接材料所能承受的環境溫度上限為第一溫度；
步驟二：使用第二焊接材料將支架的第二焊接面固定于導熱基板的第三焊接面上；
在步驟二的焊接過程中的最高溫度比第一溫度低10攝氏度以上。
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