[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210005433.7
• 申請日: 2012-01-10
• 公開（公告）號: CN103199091A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明東;陳建銓;連士進(jìn)
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/82
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種整合有源元件、多個(gè)半導(dǎo)體元件及被動元件元單一襯底的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體裝置中，舉例來說，會同時(shí)需要金屬氧化半導(dǎo)體與其他半導(dǎo)體元件。一般來說，會將金屬氧化半導(dǎo)體與其他半導(dǎo)體元件以分開的工藝，分別形成在不同的襯底上，再于封裝過程中，利用打線將不同襯底上的金屬氧化半導(dǎo)體與其他半導(dǎo)體元件作電性連接。

當(dāng)一金屬氧化半導(dǎo)體與一半導(dǎo)體元件整合在一起時(shí)，需要保留一段打線接合的空間。若一金屬氧化半導(dǎo)體與多個(gè)半導(dǎo)體元件整合時(shí)，則需要保留更多打線接合的空間。因此，不但不利于整體裝置微型化，且使得半導(dǎo)體裝置的工藝復(fù)雜，并提高生產(chǎn)成本高。而且，金屬氧化半導(dǎo)體與其他半導(dǎo)體元件之間電性連接的失誤率會比較高，且效果不佳。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過簡化的工藝，將第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件、有源元件及被動元件整合于單一襯底上。相較于一般技術(shù)，實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法簡單且成本低，制造完成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體積小，有利于微型化。此外，半導(dǎo)體元件有源元件及被動元件之間可具有良好的電性連接。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一襯底、一有源元件、一第一半導(dǎo)體元件、一第二半導(dǎo)體元件及一被動元件。襯底具有一第一區(qū)及與第一區(qū)相連的一第二區(qū)。有源元件具有一摻雜區(qū)，摻雜區(qū)位于第一區(qū)。第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及被動元件被設(shè)于第二區(qū)上，其中，第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及被動元件均被電性連接于有源元件。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。方法包括以下步驟：提供一單一襯底，單一襯底包括一第一區(qū)及與第一區(qū)相連的一第二區(qū)；形成一有源元件于第一區(qū)；形成一第一半導(dǎo)體元件、一第二半導(dǎo)體元件及一被動元件于第二區(qū)上；電性連接第一半導(dǎo)體元件與有源元件、第二半導(dǎo)體元件與有源元件及被動元件與有源元件。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有源元件、第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及被動元件的上視圖。

圖2至圖22繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造流程剖面圖。

圖23A至圖23B繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的的摻雜濃度與對應(yīng)的片阻值的示意圖。

【主要元件符號說明】

1：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

10：襯底

101：場氧化層

102：犧牲氧化層

103、103’、105：介電材料層

104、106、108、110、112、118、120、122：介電層

107、109、109b：電極材料

107a、107b、107c、107d、109a、109b、109c：電極

109d：本體部

114、126：內(nèi)聯(lián)機(jī)

116’、128：導(dǎo)線

150：摻雜區(qū)

151、153：阱

20：第一半導(dǎo)體元件

30：第二半導(dǎo)體元件

40：被動元件

50：有源元件

A1：第一區(qū)

A2：第二區(qū)

K：開口

M1～M11：光刻膠

P1、P2：表面

具體實(shí)施方式

圖1是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1的上視圖，如圖1所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1包括一襯底10、一第一半導(dǎo)體元件20、一第二半導(dǎo)體元件30、一被動元件40及一有源元件50。于此僅繪示出第一半導(dǎo)體元件20、第二半導(dǎo)體元件30、被動元件40及有源元件50的結(jié)構(gòu)，省略元間之間的連接導(dǎo)線。于此實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體元件20、第二半導(dǎo)體元件30、被動元件40及有源元件50被設(shè)置于單一襯底10上。