[發明專利]一種NLDMOS器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210005120.1 | 申請日： | 2012-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103199110A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 劉冬華;石晶;胡君;董金珠;韓峰;段文婷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種NLDMOS器件，包括P型襯底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分別形成有N+區，N阱中N+區的旁側形成有場氧區，場氧層形成于P阱、N阱和場氧區的上方，場氧層上方形成有多晶硅層，隔離側墻形成于場氧層和多晶硅層的兩側；其特征是：場氧區下方形成有P型埋層。
2.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征是：所述場氧層厚度為115埃～160埃。
3.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征是：所述多晶硅層厚度為2000埃。
4.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征是：所述隔離側墻厚度為2500?！?500埃。
5.如權利要求1至4任意一項所述的NLDMOS器件，其特征是：所述P型埋層具有硼。
6.一種NLDMOS器件的制造方法，包括：
(1)在P型襯底上進行局部氧化形成場氧區；
(2)在P型襯底上注入形成P阱和N阱；
(3)在P阱、N阱和場氧區的上方生長場氧層；
(4)在場氧層上方淀積多晶硅層；
(5)淀積二氧化硅，干法刻蝕形成隔離側墻；
(6)在P阱和N阱中注入形成N+區，N阱中的N+區與長氧區相鄰；
其特征是：在步驟(5)和(6)之間增加步驟，(A)注入P型雜質在場氧區底部形成P型埋層。?
7.如權利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：實施步驟(3)時，生長場氧層厚度為115?！?60埃。
8.如權利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：實施步驟(4)時，淀積多晶硅厚度為2000埃。
9.如權利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：實施步驟(5)時，淀積二氧化硅厚度為2500?！?500埃。
10.如權利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征是：實施步驟(A)時，注入硼雜質，劑量為1E13/cm2～5E13/cm2，能量為120keV～150keV。?
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