[發明專利]電漿反應方法及裝置無效
| 申請號: | 201210004412.3 | 申請日: | 2012-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN102625562A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 賴秉豊 | 申請(專利權)人: | 賴秉豊 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46 |
| 代理公司: | 天津三元專利商標代理有限責任公司 12203 | 代理人: | 崔鋼 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種電漿反應方法及裝置,它是在密閉空間內,裝設該至少一組導電回圈,并在該密閉空間內充填反應流體,借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場,使之產生電漿反應,使密閉空間內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能,及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率。
背景技術
當對利用長導線所繞成的均勻螺旋狀的螺線管(Solenoid)通電時,根據安培右手定則(Ampere’s?circuital?law)會在螺線管內產生均勻的磁場。而當在螺線管內放入軟鐵芯(鐵磁性材質)后,雖可使插有軟鐵芯(鐵磁性材質)的螺線管內的磁通量,遠比空心螺線管的磁通量大為增加,但不可避免地會在所放入的軟鐵芯(鐵磁性材質)內部產生渦流Eddy?Current現象,因而產生的熱量而導致磁能的損耗或干擾。
雖然將鐵芯(鐵磁性材質)改成更薄且多層迭壓的硅鋼片(Silicon?sheet?steel),企圖降低磁路飽和,以期減少每層硅鋼片內所產生的渦流現象,及因渦流現象所產生的熱量及其所連帶造成的能量損耗,可以適度地解決上述的問題。但是仍然無法徹底解決的前述渦流現象,以及因該渦流現象引發的熱量及能量的損耗。究其原因,乃因為空氣是磁阻甚高的介質,導致螺線管內部的磁通量始終難以提升。
除此之外,螺線管內部只要是置入鐵磁性材質或硅鋼片時,電磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間,始終存在著無法避免之「磁力干擾」的問題,卻始終無法獲得任何解決。
電漿(Plasma)是一種由高能電子、高能離子和高能中性原子為主要成分的物質型態,被稱為電漿態。電漿具有很高的電導率。電漿是由克魯克斯(Sir?William?Crookes)在公元1879年發現的,它是具有高位能動能的氣體團,而它的總帶電量仍是呈中性的,借由電場或/及磁場的高動能將外層的電子擊出,使電子已不再被束縛于原子核,而成為高位能高動能的自由電子。
電漿的應用非常廣泛,例如:利用電漿制成的顯示器、利用離子沉積技術和控制涂層技術以改善涂層的組織結構和促進化學反應過程,有利于化合物涂層的形成。
但上述電漿反應大都是在「兩個電極板之間」進行,雖然也有利用螺旋線圈產生電漿的做法,但截至目前所有產生電漿的方法,都是將所生成的電漿「另外取出并且移作」其它指定的用途上,并未將所產生的電漿繼續留在原來產生電漿的場所內。例如上述的沉積技術、控制涂層技術、顯示技術等都是屬于此種。
有鑒于空氣是磁阻甚高的介質,導致螺線管內部的磁通量始終難以提升,雖然將鐵芯(鐵磁性材質)改成更薄且多層迭壓的硅鋼片,企圖降低磁路飽和,以期減少每層硅鋼片內所產生的渦流現象所產生的熱量及其所連帶造成的能量損耗,除了加大體積與重量之外,最重要的是,仍然無法徹底解決的前述渦流現象等問題,也因為存在這些問題而導致電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能,及物質之間的電子等的轉換效率始終無法提升的問題。
有鑒于磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間,始終存在著無法避免的「磁力干擾」的問題。
發明內容
本發明所要解決的主要技術問題在于,克服現有技術存在的上述缺陷,而提供一種電漿反應方法及裝置,是在密閉空間內,裝設該至少一組導電回圈,并在該密閉空間內充填反應流體,借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場,進而使密閉空間內的粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應,因而使密閉空間內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能,及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率,而且由于本發明不需在導電回圈置入任何鐵磁性材質或硅鋼片,所以現有技術因為磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間的磁力干擾問題,本發明則完全不會產生。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種電漿反應方法,它是在密閉空間內,裝設該至少一組導電回圈,并在該密閉空間內充填反應流體〔「流體」指氣體、液體〕,借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場,使該密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用而在該密閉空間內產生電漿反應。
本發明所提供的電漿反應方法,其中該導電回圈具有單組或數組。其中該數組導電回圈進一步彼此對應設置。
本發明所提供的電漿反應方法,其中該或該等導電回圈之中的至少一組導電回圈,具有至少一支端子自密閉空間內向外穿出,以便借傳導方式對導電回圈施加電場或/及磁場。
本發明所提供的電漿反應方法,其中該或該等導電回圈之中的至少一組導電回圈,具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內,并且不與密閉空間外接觸,以便借感應方式對導電回圈施加磁場。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于賴秉豊,未經賴秉豊許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210004412.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:制作標準氣體樣品的實驗倉
- 下一篇:無人機航攝測量方法和無人機航攝測量系統





