[發明專利]一種半導體芯片的加工方法

有效

• 申請號: 201210004216.6
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102522329A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 薛列龍
• 申請（專利權）人: 薛列龍
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術領域

本發明涉及一種半導體芯片制造方法，尤其涉及一種無機械損傷的裂解工藝。

背景技術

現有的OJ（Open?Juction開放結）型二極管制造方法主要包括如下步驟：擴散形成所需縱向結構的半導體晶圓片；鍍鎳；切割成正方形或正六邊形單顆芯片；使用焊片將銅導線與芯片金屬電極層焊接組裝在一起；用混酸酸洗；上膠并固化形成鈍化保護層；環氧模壓并固化；引腳鍍錫；測試包裝。此種方法所采用的芯片通過切割后一般為正方形，角部為90°，電場強度在尖角處較強，易擊穿失效，如切割成正六邊形會有一定的面積浪費，尤其是大芯片面積的產品這個矛盾尤其突出。

現有技術在LED芯片領域已見有關于正六邊形芯片的報道。但通過晶片裂解為正六邊形制得芯片的技術手段在現有技術中一直未見報道。

發明內容

本發明針對以上問題，提供了一種能高效、無機械損傷，且為后續加工提供友好銜接措施的半導體芯片的加工方法。

本發明的技術方案是：包括以下步驟：對晶片進行擴散、設置氧化層和在氧化層上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化層在晶片表面呈網格狀；然后按以下步驟加工：

1）、設置電極層；往所述窗口內晶片表面鍍覆金屬電極層；?

2）、一次酸蝕；采用氫氟酸去除晶片表面的網格狀氧化層，在所述金屬電極層之間形成網格狀溝槽；?

3）、二次酸蝕；沿網格狀溝槽往下注入混酸，腐蝕晶片本體，直至蝕透晶片本體，使得晶片本體分裂為若干芯片；制得。

在設置電極層后，隨即還包括設置焊料層工序；在所述金屬電極層上預焊金屬焊料，使金屬焊料固定連接在所述金屬電極層和窗口側壁構成的范圍內。

在所述一次酸蝕工序之前還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結膜片。

在所述一次酸蝕工序之后還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結膜片。

所述光刻窗口的形狀為圓形或角部帶圓弧倒角的正多邊形。

所述設置氧化層和在氧化層上光刻窗口的工序，以及所述設置電極層工序在所述晶片的雙面進行。

在設置電極層后，隨即還包括設置焊料層工序；在所述金屬電極層上預焊金屬焊料，使金屬焊料固定連接在所述金屬電極層和窗口側壁構成的范圍內。

在所述一次酸蝕工序之前還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結膜片。

在所述一次酸蝕工序之后還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結膜片。

所述光刻窗口的形狀為圓形或正多邊形。

????本發明工藝中先形成電極窗口，往晶片表面所述電極窗口上鍍覆金屬電極層。金屬電極層在后道兩次酸腐蝕過程中，基本與酸無反應（強酸會使金屬電極層表面形成氧化膜）。強酸與硅質的晶片本體有強烈的化學反應，并能迅速“蝕透”晶片本體，進而使得晶片按照設計形狀裂解，最終制得常規手段難以獲得的六角形、圓形等芯片。與吹砂工藝相比：產品無機械應力，實施簡便。與機械裂解工藝相比，本案的優勢是：可以制成任意形狀的芯片。本發明填補了異形芯片裂解的技術空白。此外，本發明的工藝，能在芯片的角部形成圓弧倒角，能有效避免電場集中；改善產品的電性能；增設的焊料層為后續加工提供了友好的銜接措施。本發明通過化學腐蝕分割芯片，得到理想形狀的芯片，裂解過程對芯片基本無機械損傷，后道酸洗時間短，對金屬的腐蝕量小，金屬離子沾污少，提高了產品電性可靠性。

附圖說明

圖1是本發明設置氧化層和在氧化層上光刻窗口工序的示意圖，

圖2是本發明設置電極層工序的示意圖，

圖3是本發明貼膜工序的示意圖，

圖4是本發明兩次酸蝕工序后的示意圖，

圖5是本發明制得的芯片一的結構示意圖；

圖6是本發明第一種優化實施方式中設置焊料層工序的示意圖，

圖7是本發明第一種優化實施方式中一次酸蝕后再進行貼膜工序的示意圖，

圖8是本發明第一種優化實施方式中二次酸蝕工序后的示意圖，

圖9是本發明第一種優化實施方式制得的芯片二的結構示意圖；

圖10是本發明第二種優化實施方式中雙面設置氧化層和在氧化層上光刻窗口工序的示意圖，

圖11是本發明第二種優化實施方式中雙面設置電極層工序的示意圖，

圖12是本發明第二種優化實施方式中雙面設置焊料層工序的示意圖，

圖13是本發明第二種優化實施方式中一次酸蝕后再進行貼膜工序的示意圖，