[發(fā)明專利]一種半導體芯片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210004216.6
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102522329A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 薛列龍
• 申請（專利權(quán)）人: 薛列龍
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種半導體芯片的加工方法，包括以下步驟：對晶片進行擴散、設置氧化層和在氧化層上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化層在晶片表面呈網(wǎng)格狀；其特征在于，然后按以下步驟加工：

1）、設置電極層；往所述窗口內(nèi)晶片表面鍍覆金屬電極層；?

2）、一次酸蝕；采用氫氟酸去除晶片表面的網(wǎng)格狀氧化層，在所述金屬電極層之間形成網(wǎng)格狀溝槽；?

3）、二次酸蝕；沿網(wǎng)格狀溝槽往下注入混酸，腐蝕晶片本體，直至蝕透晶片本體，使得晶片本體分裂為若干芯片；制得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，在設置電極層后，隨即還包括設置焊料層工序；在所述金屬電極層上預焊金屬焊料，使金屬焊料固定連接在所述金屬電極層和窗口側(cè)壁構(gòu)成的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蝕工序之前還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結(jié)膜片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蝕工序之后還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結(jié)膜片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，所述光刻窗口的形狀為圓形或角部帶圓弧倒角的正多邊形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，所述設置氧化層和在氧化層上光刻窗口的工序，以及所述設置電極層工序在所述晶片的雙面進行。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，在設置電極層后，隨即還包括設置焊料層工序；在所述金屬電極層上預焊金屬焊料，使金屬焊料固定連接在所述金屬電極層和窗口側(cè)壁構(gòu)成的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蝕工序之前還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結(jié)膜片。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蝕工序之后還有貼膜工序，所述貼膜工序為在晶片底面貼覆一層粘結(jié)膜片。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種半導體芯片的加工方法，其特征在于，所述光刻窗口的形狀為圓形或正多邊形。