[發明專利]半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201210004034.9
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN103199101A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 黃宗義;邱建維;黃建豪
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種半導體結構，形成于一第一導電型基板中，該第一導電型基板具有一上表面，其特征在于，該半導體結構包含：

受保護元件，形成于該第一導電型基板中；

至少一第一環狀埋槽，形成于該上表面下方，由上視圖視之，該第一環狀埋槽圍繞該受保護元件，且該第一環狀埋槽自該上表面向下，具有第一深度；以及

至少一環狀摻雜區，形成于該上表面下方，由上視圖視之，該環狀摻雜區圍繞該第一環狀埋槽，且該環狀摻雜區的導電型為第二導電型，且該環狀摻雜區自該上表面向下，具有第二深度；

其中，該第二深度不小于該第一深度。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該受保護元件包含一高壓元件。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其中，還包含一第二導電型基板，位于該第一導電型基板下方，其中該高壓元件為一絕緣柵雙極性晶體管，該第二導電型基板電連接該絕緣柵雙極性晶體管的集極。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該環狀摻雜區包括：

至少一第二環狀埋槽，形成于該上表面下方，由上視圖視之，該第二環狀埋槽圍繞該第一環狀埋槽；以及

至少一包覆摻雜區，對應于該第二環狀埋槽，形成于該第二環狀埋槽外圍該第一導電型基板中，于該上表面下方，包覆該第二環狀埋槽。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其中，該第二環狀埋槽與該第一環狀埋槽利用相同制程步驟形成，且該包覆摻雜區由離子植入技術以不同角度植入加速離子形成。

6.一種半導體結構制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一導電型基板，其具有一上表面；

形成一受保護元件于該第一導電型基板中；

形成至少一第一環狀埋槽于該基板上表面下方，由上視圖視之，該第一環狀埋槽圍繞該受保護元件，且該第一環狀埋槽自該上表面向下，具有第一深度；以及

形成至少一環狀摻雜區于該上表面下方，由上視圖視之，該摻雜區圍繞該第一環狀埋槽，且該環狀摻雜區的導電型為第二導電型，且該環狀摻雜區自該上表面向下，具有第二深度；

其中，該第二深度不小于該第一深度。

7.如權利要求6所述的半導體結構制造方法，其中，該受保護元件包含一高壓元件。

8.如權利要求7所述的半導體結構制造方法，其中，還包含形成一第二導電型基板于該第一導電型基板下方，其中該高壓元件為一絕緣柵雙極性晶體管，該第二導電型基板電連接該絕緣柵雙極性晶體的集極。

9.如權利要求6所述的半導體結構制造方法，其中，該形成至少一環狀摻雜區的步驟包括：

形成至少一第二環狀埋槽于該上表面下方，由上視圖視之，該第二環狀埋槽圍繞該第一環狀埋槽；以及

形成至少一包覆摻雜區，對應于該第二環狀埋槽于該第二環狀埋槽外圍該第一導電型基板中，于該上表面下方，包覆該第二環狀埋槽。

10.如權利要求9所述的半導體結構制造方法，其中，該第二環狀埋槽與該第一環狀埋槽利用相同制程步驟形成，且該包覆摻雜區由離子植入技術以不同角度植入加速離子形成。