[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造和封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210003771.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103000597A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳勝郁;郭庭豪;陳承先;鄭明達(dá) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 封裝 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
集成電路;以及
連接至所述集成電路的表面的多個(gè)銅柱,其中所述多個(gè)銅柱包含伸長(zhǎng)形狀,并且其中,所述多個(gè)銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所有連接至所述集成電路的表面的所述多個(gè)銅柱都以基本上對(duì)稱的取向布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所有連接至所述集成電路的表面的所述多個(gè)銅柱都以基本上向心的取向布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所有位于所述集成電路的表面的外周區(qū)域中的所述多個(gè)銅柱都以基本上對(duì)稱的取向布置或者以基本上向心的取向布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所有位于所述集成電路的表面的中心區(qū)域中的所述多個(gè)銅柱都包含基本上對(duì)稱的取向或者都以基本上向心的取向布置。
6.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括跡線上凸塊(BOT)封裝件,所述BOT封裝件連接至所述集成電路,所述BOT封裝件包括襯底和在所述襯底上設(shè)置的多個(gè)跡線,其中所述集成電路的所述多個(gè)銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個(gè)跡線。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:
提供集成電路;
在所述集成電路的表面上形成多個(gè)接合焊盤(pán);以及
在所述集成電路的表面上的所述多個(gè)接合焊盤(pán)上形成多個(gè)銅柱,其中所述多個(gè)銅柱包含伸長(zhǎng)形狀,并且其中所述多個(gè)銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,形成所述多個(gè)銅柱包括形成多個(gè)銅柱,其中所述多個(gè)銅柱中的至少一些以對(duì)稱的圖案布置在所述集成電路的表面上。
9.一種封裝半導(dǎo)體器件的方法,所述半導(dǎo)體器件包括具有在其表面上設(shè)置的多個(gè)接合焊盤(pán)的集成電路,其中,所述方法包括:
在所述集成電路的所述多個(gè)接合焊盤(pán)上形成包含伸長(zhǎng)形狀的多個(gè)銅柱,使得多個(gè)銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置;
提供跡線上凸塊(BOT)封裝件,所述BOT封裝件包括在其上的多個(gè)跡線;以及
將所述集成電路的所述多個(gè)銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個(gè)跡線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,提供所述BOT封裝件包括提供其中所述多個(gè)跡線包含第一圖案的BOT封裝件,其中,形成所述多個(gè)銅柱包括形成多個(gè)具有第二圖案的銅柱,并且其中,所述第二圖案基本上與所述第一圖案相同。
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