[發明專利]氮化物單晶的制造方法及其裝置

有效

• 申請號: 201210003531.7
• 申請日: 2007-02-22
• 公開（公告）號: CN102492993A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 今井克宏;巖井真;下平孝直;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社;國立大學法人大阪大學
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B9/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種氮化物單晶的制造方法，其為使用含有助熔劑和原料的溶液來制造氮化物單晶的方法，其特征在于，

使用的生長裝置包括：用于容納所述溶液的多個坩堝、用于加熱所述坩堝的發熱體、容納所述多個坩堝并由熱傳導性材料制成的組件以及用于至少容納所述組件和所述發熱體并填充至少包含氮氣的氣氛氣體的壓力容器；

分別在所述每個坩堝內設置一個種晶，通過移動所述組件來同時攪拌所述各坩堝內的所述溶液，在所述各坩堝內由各個種晶生長成所述氮化物單晶。

2.如權利要求1所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，水平方向上施加給所述組件直線加速度。

3.如權利要求1所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，施加給所述組件水平方向上的周期運動。

4.如權利要求3所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，對所述組件施加往復運動、自轉運動或公轉運動。

5.如權利要求1或2所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，所述組件具有設置在水平方向上的多個容納室，該多個容納室內分別容納所述坩堝。

6.如權利要求5所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，對應于所述各個容納室分別使用各自的坩堝加熱裝置。

7.如權利要求5或6所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，對應于所述各個容納室分別使用各自的溫度測量裝置。

8.如權利要求1或2所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，所述壓力容器內，垂直方向上設置有多個所述的發熱體，并對各個發熱體的發熱量進行單獨控制。

9.如權利要求1或2所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，在所述坩堝的底面上設置有突起，所述組件移動時使所述坩堝搖動起來。

10.如權利要求1或2所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，在所述多個坩堝內，設置至少表面是由與所述溶液不反應的材料制成的攪拌介質，使該介質與所述溶液保持接觸狀態，來同時攪拌所述多個坩堝內的所述溶液。

11.如權利要求10所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，所述攪拌介質的形狀為球形。

12.如權利要求1或2所述的氮化物單晶的制造方法，其特征在于，在所述壓力容器中，設置了容納有粘度與所述溶液的粘度相近的物質的監控器。

13.一種氮化物單晶的制造裝置，其為使用包含有助熔劑和原料的溶液來制造氮化物單晶的裝置，其特征在于，包括：用于容納所述溶液的多個坩堝、用于加熱所述坩堝的發熱體、容納所述多個坩堝并由熱傳導性材料制成的組件以及用于至少容納所述組件和所述發熱體并填充至少包含氮氣的氣氛氣體的壓力容器；

分別在所述每個坩堝內設置一個種晶，通過移動所述組件來同時攪拌所述各坩堝內的所述溶液，在所述各坩堝內由各個種晶生長成所述氮化物單晶。

14.如權利要求13所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，水平方向上施加給所述組件直線加速度。

15.如權利要求13所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，施加給所述組件水平方向上的周期運動。

16.如權利要求15所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，對所述組件施加往復運動、自轉運動或公轉運動。

17.如權利要求13或14所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，所述組件具有設置在水平方向上的多個容納室，該多個容納室內分別容納所述坩堝。

18.如權利要求17所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，具有對應于所述各個容納室的各自的坩堝加熱裝置。

19.如權利要求17或18所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，還具有對應于所述各個容納室的各自的溫度測量裝置。

20.如權利要求13或14所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，所述壓力容器內，垂直方向上設置有多個所述的發熱體，并對各個發熱體的發熱量進行單獨控制。

21.如權利要求13或14所述的氮化物單晶的制造裝置，其特征在于，在所述坩堝的底面上設置有突起，所述組件移動時使所述坩堝搖動起來。