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[發明專利]ITO銀漿激光刻蝕方法有效

專利信息
申請號: 201210002674.6 申請日: 2012-01-06
公開(公告)號: CN102528296B 公開(公告)日: 2018-01-23
發明(設計)人: 陳剛;曹紅兵;辛天才;袁聰;賴旭員;鄒金國 申請(專利權)人: 武漢吉事達科技股份有限公司
主分類號: B23K26/362 分類號: B23K26/362;B23K26/70
代理公司: 武漢帥丞知識產權代理有限公司42220 代理人: 朱必武,曾祥斌
地址: 430071 湖北省武*** 國省代碼: 湖北;42
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摘要:
搜索關鍵詞: ito 激光 刻蝕 方法
【說明書】:

技術領域

本發明涉及一種激光刻蝕電子產品的方法,特別是涉及ITO銀漿激光刻蝕方法。

背景技術

用于刻蝕顯示觸摸屏ITO薄膜、玻璃基底或PET基底的銀漿激光刻蝕設備多采用二維振鏡頭和F-θ透鏡組組合,二維振鏡頭安裝在機架、升降機構或二維運動平臺上,F-θ透鏡組安裝在二維振鏡頭下部,被刻蝕的ITO薄膜或銀漿薄膜放置在F-θ透鏡下方的工作臺上,二維振鏡頭的振動電機偏轉使激光光束運動,再經F-θ透鏡組聚焦的焦點軌跡為激光刻蝕的軌跡,也就是所要刻蝕的圖形。

對于單獨的ITO薄膜或單獨的銀漿薄膜,只要單獨地對ITO薄膜或單獨地對銀漿薄膜進行刻蝕就可以完成加工。

專利號為200710077447.9的一種ITO薄膜激光蝕刻設備及蝕刻方法,包括機架、工控機、顯示系統、激光發生器、切割頭、吸附盤、X軸運動系統、Y軸運動系統和Z軸運動系統,所述工控機、激光發生器、顯示系統和Z軸運動系統都安裝在機架上,所述切割頭安裝在Z軸運動系統上,所述吸附盤固定在X軸運動系統上,位于Y軸運動系統的上方,所述X軸運動系統安裝在Y軸運動系統上,并交叉呈十字狀,Y軸運動系統固定安裝在機架上。該蝕刻方法包括:預設激光蝕刻圖形;將被蝕刻產品放置在激光蝕刻設備的工作臺上,并進行定位;根據所述預設的激光蝕刻圖形控制激光蝕刻設備對被蝕刻產品進行蝕刻。

專利號為201110128579.6的用于刻蝕電子產品上銀漿的裝置及其方法,高頻率短脈沖激光器的輸出端布置有光閘,光閘的輸出端設置有擴束鏡,擴束鏡的輸出端依次布置有1/2波片和格蘭棱鏡,格蘭棱鏡的輸出端布置有45度全反射鏡,45度全反射鏡的輸出端依次布置有振鏡和掃描場鏡,掃描場鏡正對于四軸吸附平臺,四軸吸附平臺上安裝有同軸吹吸氣集塵系統,四軸吸附平臺對角位置分別安裝有CCD對位觀察系統。采用高頻率紅外脈沖激光器作為激光源,通過對角線CCD抓靶加工材料的靶標位置,確定加工圖形與平臺上的樣品位置一一對應,對不同觸摸屏產品中不可視區域銀漿或者銅薄膜或鉬鋁鉬層進行蝕刻,使不可視區域的薄膜材料在高頻率短脈沖紅外激光器作用下氣化而達到蝕除目的。所述的高頻率短脈沖激光器波長1000~1100nm、脈寬100ps~50ns、頻率10kHz~200kHz。

專利號為200710077447.9的一種ITO薄膜激光蝕刻設備及蝕刻方法,提供了ITO薄膜的刻蝕方法;專利號為201110128579.6的用于刻蝕電子產品上銀漿的裝置及其方法,提供了銀漿刻蝕的方法。

然而,現在很多電子產品的基底上,特別的顯示觸摸屏的基底上,既有ITO薄膜,同時又有銀漿,ITO薄膜和銀漿都要進行刻蝕,專利號為200710077447.9的一種ITO薄膜激光蝕刻設備及蝕刻方法和專利號為201110128579.6的用于刻蝕電子產品上銀漿的裝置及其方法無法完成ITO薄膜和銀漿的同時加工。而目前采用先在一種設備上加工銀漿或ITO薄膜,再在另一種設備上加工ITO薄膜或銀漿,這種不但費時費力,設備投資大,而且要兩次定位加工,圖形定位困難,成品率低。

發明內容

本發明的目的是提供一種ITO銀漿激光刻蝕方法,此ITO銀漿激光刻蝕方法能一次完成ITO薄膜和銀漿的刻蝕,生產率高,成品率高,設備投資小。

為了達到上述目的,本發明的ITO銀漿激光刻蝕方法,其特征在于:

①、將ITO銀漿工件正面朝上放置在激光刻蝕機的工作平臺上并定位;

②、調整激光刻蝕機的工作平臺或激光刻蝕機激光頭高度,使激光刻蝕機的激光焦點落在ITO銀漿工件正面平面上;

③、將要刻蝕的ITO圖形和銀漿圖形分別輸入或導入激光刻蝕軟件,并作為兩個圖層;

④、分別對ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層設置激光參數和運動參數,ITO圖形圖層的激光功率2W~6W,激光脈沖頻率為30kHz~110kHz,激光刻蝕線速度為500mm/s~1500mm/s,刻蝕重復次數為1次;銀漿圖形圖層的激光功率2W~6W,激光脈沖頻率為40Hz~80Hz,激光刻蝕線速度為500mm/s~1500mm/s,刻蝕重復次數為2次~4次;

⑤、啟動激光刻蝕機,對ITO銀漿工件的ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層進行刻蝕。

所述的ITO銀漿激光刻蝕方法,其特征在于:激光刻蝕機的激光波長為1064nm、F-θ透鏡組的焦距在150~300mm之間、激光器的額定輸出功率為5W~20W。

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