[發明專利]單次濕膜制線方法

有效

• 申請號: 201210002427.6
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN102548227A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 陳棟南
• 申請（專利權）人: 牧東光電(蘇州)有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06;G06F3/041
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種單次濕膜制線方法，屬于觸控面板線路制程技術領域。

背景技術

單片式玻璃觸控可以減少貼合次數、節省材料成本，同時可以減輕應用裝置的重量，而這一點對平板電腦來說尤其重要。從感應線路的良率成本看來，面板內嵌式觸控方案成本顯然較高。單片式玻璃觸控方案，在感應線路過程中出現不良品，所產生的損失僅是表面玻璃而已，但是面板內嵌式觸控方案就是整塊面板報廢掉。若是采用單片式玻璃觸控方案，品牌對于觸控控制芯片的掌控權會比較完整，不僅可以選擇合適的觸控控制芯片以求搭配、與終端的操作系統平臺優化；也可以因應不同的終端機構設計作觸控效能的微調，而且在觸控控制芯片與面板的供貨商選擇上也較為自由。

玻璃材料的好處是可以承受較高的制程溫度、耐受性高，也因此在進行透明導電材料觸控感應層濺鍍時，往往可以有較好的阻抗值；玻璃材料可以應用于蝕刻印刷的方式實現感應線路。本發明創造正是利用玻璃基材的優良物理特性，采用半透光罩方法曝光顯影減少濕膜次數，提高線路良率，降低材料成本，進一步簡化制程。

發明內容

技術問題：本發明針對玻璃基材觸控方式，采用半透光罩曝光顯影蝕刻減少濕膜次數，提出一種線路良率高，可以簡化制程，能降低觸控面板體的厚度和生產成本，不要再次大資本投入新技術設備的單次濕膜制線方法。

技術方案：本發明公開了一種單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；

玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；

采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；

視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩，剩余區域全透光設置；

整個光阻面曝光30秒鐘～45秒鐘；

濃度3％的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘～45秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影掉一半；

濃度4.0摩爾/升～5.0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；

濃度5％的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘～50秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；

濃度0.5摩爾/升～1.0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。

上述光阻厚度為8微米～12微米，金屬為銅鈦合金。

有益效果：本發明公開了單次濕膜制線方法，通過采用半透光罩曝光顯影蝕刻減少濕膜次數，實現產品良率和觸控精準度高，還可以簡化制程降低觸控面板體的厚度和生產成本，不要再次大資本投入新技術設備。

附圖說明：

圖1是本發明的制作流程示意框圖。

具體實施方式

下面是本發明的具體實施例來進一步描述：

圖1所示，本發明的單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；

玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；

采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；

視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩，剩余區域全透光設置；

整個光阻面曝光30秒鐘～45秒鐘；

濃度3％的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘～45秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影掉一半；

濃度4.0摩爾/升～5.0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；

濃度5％的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘～50秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；

濃度0.5摩爾/升～1.0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。

上述光阻厚度為8微米～12微米，金屬為銅鈦合金。

實施例1：

單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；

玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；

采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；

視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩，剩余區域全透光設置；

整個光阻面曝光30秒鐘；

濃度3％的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影掉一半；

濃度4.0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；

濃度5％的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；