[發(fā)明專利]單次濕膜制線方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210002427.6
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN102548227A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳棟南
• 申請（專利權(quán)）人: 牧東光電(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/06
• 分類號(hào): H05K3/06;G06F3/041
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單次濕膜制線方法，包括如下步驟，其特征在于：所述步驟在千級(jí)無塵室中進(jìn)行；

玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；

將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；

視窗內(nèi)預(yù)設(shè)感應(yīng)線路區(qū)域做半透光罩，視窗周邊預(yù)設(shè)金屬線路區(qū)域做不透光罩，剩余區(qū)域全透光設(shè)置；

整個(gè)光阻面曝光30秒鐘～45秒鐘；

濃度3％的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘～45秒鐘，使感應(yīng)線路區(qū)域的光阻厚度被顯影掉一半；

濃度4.0摩爾/升～5.0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區(qū)域內(nèi)金屬和氧化銦錫；

濃度5％的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘～50秒鐘，使視窗感應(yīng)線路區(qū)域內(nèi)光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；

濃度0.5摩爾/升～1.0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區(qū)內(nèi)的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。

2.如權(quán)利要求1所述單次濕膜制線方法，其特征在于：所述光阻厚度為8微米～12微米。

3.如權(quán)利要求1所述單次濕膜制線方法，其特征在于：所述金屬為銅鈦合金。