[發(fā)明專利]一種低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210001111.5 | 申請日: | 2012-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN102558863A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高勇;李炎;張志剛;戴厚益;陳新拓;張海陶;余大海;徐偉 | 申請(專利權(quán))人: | 四川華通特種工程塑料研究中心有限公司 |
| 主分類號: | C08L81/02 | 分類號: | C08L81/02;C08L27/18;C08K9/04;C08K9/06;C08K7/14;C08K3/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 曹志霞;李贊堅(jiān) |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低介電性聚苯硫醚 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料,其特征在于,包括以下原料組分:
聚苯硫醚30%-60%,玻璃纖維10-50%,偶聯(lián)化表面處理的低介電性無機(jī)填料0.5%-5%,聚四氟乙烯5-40%,相容劑0.5-5%,以上原料組分為按重量配比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料,其特征在于,所述聚苯硫醚的分子量在30000~40000,氯離子含量在1000ppm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料,其特征在于,所述無機(jī)填料為二氧化硅或硅酸鹽類中的一種或組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料,其特征在于,所述二氧化硅或硅酸鹽類中二氧化硅的含量為40%-100%,粒徑為0.01~1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料,其特征在于,所述相容劑為聚烯烴均聚物或聚烯烴共聚物中的一種或組合。
6.一種低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)低介電性無機(jī)填料的偶聯(lián)化表面處理:將無機(jī)填料在偶聯(lián)劑、無水乙醇的混合溶液中充分浸潤10-20mi?n,處理溫度30-50℃,使偶聯(lián)劑充分與無機(jī)填料表面反應(yīng),經(jīng)熱空氣干燥得到所述偶聯(lián)化表面處理的無機(jī)填料;其中三者的配比為:60%-70%的無機(jī)填料,2%-10%的偶聯(lián)劑,20%-30%的無水乙醇;
2)按權(quán)利要求1所述的重量配比稱取聚苯硫醚樹脂以及步驟1)偶聯(lián)化表面處理的低介電性無機(jī)填料、聚四氟乙烯、相容劑一起投入到高速混合機(jī)中干混5-10分鐘,控制攪拌速度為1000-2000rpm,攪拌桶溫度為30-50℃;
3)將步驟2)中混好的物料投入到雙螺桿擠出機(jī)的加料斗中,玻璃纖維由側(cè)喂料口加入,控制螺桿轉(zhuǎn)速70-100rpm,加工各區(qū)溫度從240-340℃,停留時(shí)間2-5min,機(jī)頭壓力為4-7Mpa,經(jīng)熔融擠出、水冷卻,牽引到切粒機(jī)造粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述無機(jī)填料為二氧化硅或硅酸鹽類中的一種或組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述二氧化硅或硅酸鹽類中二氧化硅的含量為40%-100%,粒徑為0.01~1μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述相容劑為聚烯烴均聚物或聚烯烴共聚物中的一種或組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低介電性聚苯硫醚復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述偶聯(lián)劑為鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑或硅氧烷偶聯(lián)劑中的一種或組合。
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