[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210000423.4
• 申請(qǐng)日: 2012-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102544318A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳柏仁;安國(guó)順
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 歌爾聲學(xué)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明具體涉及一種發(fā)光二極管裝置。

背景技術(shù)

光通量是LED產(chǎn)品的重要性能指標(biāo)之一。影響光通量的因素主要包括以下幾個(gè)方面：支架，發(fā)光二極管芯片，硅膠、樹(shù)脂等透明封裝材料，熒光粉；以及支架結(jié)構(gòu)、反射率等。

對(duì)于通過(guò)反射層來(lái)提高LED產(chǎn)品的光通量設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中一般是通過(guò)提高支架表面的平整度的方式來(lái)間接提高LED產(chǎn)品的反射率，以減少光的吸收，從而實(shí)現(xiàn)提高光通量的目的。但是這種設(shè)計(jì)對(duì)產(chǎn)品光通量的改善有限，通常情況下僅能夠達(dá)到80-90％左右，并且綜合考慮成本及材料等局限性因素，通過(guò)傳統(tǒng)方法來(lái)提升LED產(chǎn)品的光通量并沒(méi)有太大的空間，并且實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中工藝較為復(fù)雜。

因此，有必要提供一種提高LED光通量的發(fā)光二極管裝置，以避免上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高光通量的發(fā)光二極管裝置，可以提高LED產(chǎn)品的光通量，同時(shí)簡(jiǎn)化產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：

一種發(fā)光二極管裝置，包括：基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開(kāi)口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層；并且：所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一反射層電連接所述導(dǎo)電層，所述發(fā)光二極管芯片通過(guò)所述第一反射層電連接所述導(dǎo)電層。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第二反射層的反射率大于所述第一反射層的反射率。

由于采用了上述技術(shù)方案：一種發(fā)光二極管裝置，包括：基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開(kāi)口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層；并且：所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。相比于現(xiàn)有技術(shù)，由于在所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，并且所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部，提高了LED產(chǎn)品的光通量，并且第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側(cè)面對(duì)產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價(jià)格的材料；并且簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式發(fā)光二極管裝置的剖視圖；

圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式發(fā)光二極管裝置的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面根據(jù)附圖，對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明：

圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式發(fā)光二極管裝置的剖視圖；圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式發(fā)光二極管裝置的俯視圖。請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，一種發(fā)光二極管裝置，包括：基板1以及依次設(shè)置的絕緣層2和導(dǎo)電層3；支架9，支架9形成內(nèi)凹開(kāi)口并與基板1配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口；發(fā)光二極管芯片8，發(fā)光二極管芯片8設(shè)置在所述基板1上，并且電連接導(dǎo)電層3。在本實(shí)施過(guò)程中，所述投光口投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，其中反射層包括第一反射層71和第二反射層72，第一反射層72設(shè)置在所述投光口底部，第二反射層71設(shè)置在投光口的側(cè)壁，在第一反射層71和第二反射層的72的鄰接處還設(shè)置有絕緣部5。

本實(shí)施過(guò)程的這種設(shè)計(jì)，由于在所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，并且所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部，提高了LED產(chǎn)品的光通量，并且第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側(cè)面對(duì)產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價(jià)格的材料；簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。

作為優(yōu)選的方案，本實(shí)施過(guò)程中的第一反射層71電連接導(dǎo)電層3，發(fā)光二極管芯片8通過(guò)第一反射層71電連接所述導(dǎo)電層3，這種設(shè)計(jì)除了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)效果外，產(chǎn)品的電路連接等產(chǎn)品設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單。