[發明專利]發光二極管裝置

有效

• 申請號: 201210000423.4
• 申請日: 2012-01-04
• 公開（公告）號: CN102544318A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 陳柏仁;安國順
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管裝置，包括：

基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層；

支架，所述支架形成內凹開口并與所述基板配合形成所述發光二極管裝置碗杯結構的投光口；

發光二極管芯片，所述發光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層；

其特征在于：

所述投光口的內壁上設置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。

2.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：

所述第一反射層電連接所述導電層，所述發光二極管芯片通過所述第一反射層電連接所述導電層。

3.根據權利要求2所述的發光二極管裝置，其特征在于：

所述第一導電層為金屬鍍層。

4.根據權利要求3所述的發光二極管裝置，其特征在于：

所述第一鍍層和所述導電層之間設置有電鍍所述第一導電層的基底層。

5.根據權利要求1至4任一權利要求所述的發光二極管裝置，其特征在于：

所述第二反射層的反射率大于所述第一反射層的反射率。