[發明專利]雙重圖案化光刻技術

有效

• 申請號: 201180076082.2
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN104025256A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: C·H·華萊士;S·希瓦庫馬;M·L·廷吉;C·D·穆納辛哈;N·M·拉哈爾-烏拉比
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種方法，包括：

形成集成電路結構，所述集成電路結構包括：

襯底；

第一光致抗蝕劑圖案，所述第一光致抗蝕劑圖案布置在所述襯底的至少一部分上；

阻擋層，所述阻擋層布置在所述第一光致抗蝕劑圖案的至少一部分上；以及

第二光致抗蝕劑圖案，所述第二光致抗蝕劑圖案布置在所述阻擋層的至少一部分上；以及

蝕刻所述結構以在所述襯底中限定特征，其中，組合的第一光致抗蝕劑圖案和阻擋層的有效蝕刻速率與所述第二光致抗蝕劑圖案的有效蝕刻速率不同。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在蝕刻后清潔所述襯底，以從所述襯底去除所述第二光致抗蝕劑圖案、所述阻擋層和所述第一光致抗蝕劑圖案。

3.根據權利要求1-2中的任意一項所述的方法，其中：

所述結構進一步包括抗反射涂層，在布置所述第一光致抗蝕劑圖案之前，將所述抗反射涂層布置在所述襯底的至少一部分上；

將所述第一光致抗蝕劑圖案布置在所述抗反射涂層的至少一部分上；以及

在蝕刻后清潔所述襯底，以從所述襯底去除所述第二光致抗蝕劑圖案、所述阻擋層、所述第一光致抗蝕劑圖案和所述抗反射涂層。

4.根據權利要求1-3中的任意一項所述的方法，其中，所述第一光致抗蝕劑圖案和所述第二光致抗蝕劑圖案包括相同的材料。

5.根據權利要求1-4中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層具有布置所述阻擋層的最大溫度，所述第一光致抗蝕劑圖案包括熔點高于所述最大溫度的材料。

6.根據權利要求1-5中的任意一項所述的方法，其中，將所述阻擋層布置在實質上均勻的層中，所述阻擋層的厚度小于所述第一光致抗蝕劑圖案的相鄰特征之間的距離的一半。

7.根據權利要求1-5中的任意一項所述的方法，其中，將所述阻擋層布置為具有不均勻的層厚度。

8.根據權利要求1-7中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層包括氧化物或氮化物。

9.根據權利要求1-8中的任意一項所述的方法，其中，在小于所述第一光致抗蝕劑圖案的熔點的溫度下布置所述阻擋層。

10.根據權利要求1-9中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層鈍化并保護所述第一光致抗蝕劑圖案免受在所述方法的隨后處理中使用的化學物質。

11.根據權利要求1-10中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層提供對能夠雙重曝光的光致抗蝕劑的阻擋。

12.根據權利要求1-11中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層就所述第一光致抗蝕劑圖案的輪廓、側壁腐蝕角、立足點或頂部倒角而言不明顯改變所述第一光致抗蝕劑圖案。

13.根據權利要求1-12中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層是化學惰性的，并且不與所述第二光致抗蝕劑圖案相互作用。

14.根據權利要求1-13中的任意一項所述的方法，其中，所述阻擋層與所述第二光致抗蝕劑圖案在化學上相適應。

15.根據權利要求1-14中的任意一項所述的方法，其中，以其他保護工藝來補充所述阻擋層提供的保護，所述其他保護工藝包括化學處理、物理分層、離子注入和等離子體處理的至少其中之一。

16.根據權利要求1-15中的任意一項所述的方法，其中，調節所述蝕刻以在橫向和縱向上獨立地控制圖案特征尺寸。

17.根據權利要求1-16中的任意一項所述的方法，其中，借助不同的化學反應并在不同時間蝕刻所述第一光致抗蝕劑圖案和所述第二光致抗蝕劑圖案。

18.根據權利要求1-17中的任意一項所述的方法，其中，在不影響所述第一光致抗蝕劑圖案的情況下，收縮或生長所述第二光致抗蝕劑圖案。

19.一種使用根據權利要求1-18中的任意一項所述的方法制造的集成電路。

20.一種電子設備，包括使用根據權利要求1-19中的任意一項所述的方法制造的一個或多個集成電路。