[發明專利]硒化鎘多足納米晶體的制備方法

有效

• 申請號: 201180074686.3
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN103998656A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 鐘新華;張文進
• 申請（專利權）人: 華東理工大學
• 主分類號: C30B13/00
• 分類號: C30B13/00;C30B19/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳文平;馬慧

背景技術

納米晶體的支化拓撲結構，尤其是多足(multi-podal)(包括三足和四足)形狀，可以潛在地引起與球形納米顆粒不同的多種有意義的機械、光學/電學以及化學特性，并因此可用于增強聚合物、組裝材料以及制造光伏器件。然而，通常采用的用于合成支化納米晶體的熱注射方法(其中將前體溶液快速地引入到加熱的有機溶劑中)難以按比例放大用于大量合成納米晶體。

發明概述

本公開不限于所描述的特定體系、裝置和方法，因為這些可以發生變化。本說明書中所用的術語僅用于描述特定形式或實施方式的目的，并且不意欲對本發明的范圍進行限定。盡管以“包含”各種不同組分或步驟(解釋為“包括，但不限于”的含義)的方式描述了各種不同的組合物和方法，但是所述組合物和方法也可以“基本由”所述各種不同組分和步驟“組成”或“由”所述各種不同組分和步驟“組成”，并且后者應解釋為限定了基本上封閉式的成員組。

多種方法描述了其中包含制備多足半導體納米晶體的新穎且簡單方法。在一些實施方式中，描述了制備核殼多足半導體納米晶體的方法。本文中所描述的非熱注射方法可以允許容易地按比例放大用于多足半導體納米晶體和核殼多足半導體納米晶體的工業規模生產。

在一種實施方式中，制備半導體納米晶體的方法可以包括將經脫氣的在非配位溶劑中的包含第一金屬化合物、第二金屬化合物、配體和羧酸的混合物從室溫左右加熱到約210℃，其中所述半導體納米晶體可以是多足半導體納米晶體并且可以是核殼半導體納米晶體。

在一種實施方式中，制備多足硒化鎘納米晶體的方法可以包括將經脫氣的在非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的混合物從室溫左右加熱到約210℃，其中所述多足硒化鎘納米晶體可以是四足硒化鎘納米晶體。

在一種實施方式中，制備核殼多足納米晶體的方法可以包括將經脫氣的在第一非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的第一混合物從室溫左右加熱到約210℃，之后加入在第二非配位溶劑中的包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅和第一胺的第二混合物、在第三非配位溶劑中的包含乙酸鋅和第二胺的第三混合物、以及部分第三胺，并且進一步在約200℃下加熱。

在一種實施方式中，制備硫化鎘納米晶體的方法可以包括將經脫氣的在石蠟中的包含氧化鎘、硫、三辛基膦和油酸的混合物從室溫左右加熱到約210℃。

在一種實施方式中，制備碲化鎘納米晶體的方法可包括將經脫氣的在石蠟中的包含氧化鎘、碲、三辛基膦和油酸的混合物從室溫左右加熱到約210℃。

在一種實施方式中，制備半導體納米晶體的試劑盒可以包含第一金屬化合物、第二金屬化合物、配體、羧酸以及第一非配位溶劑；并且可進一步包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅、第一胺、第二非配位溶劑、乙酸鋅、第二胺、第三非配位溶劑以及第三胺。

附圖說明

圖1示意了根據實施方式的用于制備多足半導體納米晶體的示例性方法的流程圖。

具體實施方式

本文描述了非熱注射的、克規模級合成硒化鎘多足納米晶體的方法，所述方法產率高并且其中采用氧化鎘和硒粉末直接作為石蠟介質中的反應物。反應物可以為市售可得的，并且可以不需要提前制備前體儲備溶液。本文中所描述的方法可以是低成本的、可再現的并且可規模化的。在硒化鎘多足納米晶體的周圍沉積硫化鋅可以制備多足硒化鎘/硫化鋅納米晶體，其可以具有最高達85％的光致發光量子產率。所述非熱注射法可用于大規模制備具有多足或其它形態的其它半導體納米晶體中。