[發明專利]硒化鎘多足納米晶體的制備方法

有效

• 申請號: 201180074686.3
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN103998656A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 鐘新華;張文進
• 申請（專利權）人: 華東理工大學
• 主分類號: C30B13/00
• 分類號: C30B13/00;C30B19/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳文平;馬慧

1.制備半導體納米晶體的方法，所述方法包括：

將非配位溶劑中的包含第一無機化合物、第二無機化合物、配體和羧酸的混合物在約20℃至約120℃的溫度下進行脫氣，

其中所述第一無機化合物包含第II周期至第VI周期的元素并且所述第二無機化合物包含第IV周期至第VI周期的元素；以及

加熱所述混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約160℃至約300℃的溫度以制備半導體納米晶體。

2.權利要求1的方法，其中所述配體包括三辛基膦。

3.權利要求1或2的方法，其中所述羧酸包括蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蔻烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸、α-亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。

4.權利要求1至3中任一項的方法，其中所述羧酸包含油酸。

5.權利要求1至4中任一項的方法，其中所述非配位溶劑具有約250℃以上的沸點。

6.權利要求1至5中任一項的方法，其中所述非配位溶劑包含石蠟或十八碳烯。

7.權利要求1至6中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體包含氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛或硒化鉛。

8.權利要求1至7中任一項的方法，其中所述第一金屬化合物包含氧化鎘、氧化鋅或氧化鉛。

9.權利要求1至8中任一項的方法，其中所述第二金屬化合物包含硫、硒或碲。

10.權利要求1至9中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體包含多足半導體納米晶體。

11.權利要求1至10中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體包含四足半導體納米晶體。

12.權利要求1至11中任一項的方法，還包括在所述半導體納米晶體的周圍沉積殼以制備核殼半導體納米晶體。

13.權利要求12的方法，其中所述殼與所述核形成I型異質結。

14.權利要求12或權利要求13的方法，其中所述殼包含硫化鋅。

15.權利要求12至14中任一項的方法，其中所述殼包含硫化鋅和硫化鎘。

16.權利要求12至15中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體的光致發光量子產率大于約80％。

17.制備多足硒化鎘納米晶體的方法，所述方法包括：

將在非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的混合物在約20℃至約120℃的溫度下進行脫氣；以及

加熱所述混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約160℃至約300℃的溫度以制備多足硒化鎘納米晶體。

18.權利要求17的方法，其中所述羧酸包括蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蔻烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸、α-亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。

19.權利要求17或權利要求18的方法，其中所述羧酸包含油酸。

20.權利要求17至19中任一項的方法，其中所述非配位溶劑具有約250℃以上的沸點。

21.權利要求17至20中任一項的方法，其中所述非配位溶劑包含石蠟或十八碳烯。

22.權利要求17至21中任一項的方法，其中加熱所述混合物以每分鐘約4℃至約30℃的速率進行。

23.權利要求17至22中任一項的方法，其中加熱所述混合物以每分鐘約20℃的速率進行。

24.權利要求17至23中任一項的方法，還包括將所述混合物的溫度維持在約190℃至約300℃的溫度下約2分鐘至約120分鐘。