[發明專利]非平面晶體管的源極/漏極觸點

在審

• 申請號: 201180074516.5
• 申請日: 2011-10-01
• 公開（公告）號: CN103918083A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: S·S·普拉丹;S·M·喬希;J-S·全
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 韓宏;陳松濤

背景技術

本描述的實施例通常涉及微電子設備制造領域，且更具體地涉及在非平面晶體管內的源極/漏極觸點的制造。

附圖說明

本公開的主題在說明書的結論部分中被特別指出和明確地主張。根據結合附圖所做出的以下描述和所附權利要求，本公開的前述和其它特征將變得更充分明顯。應理解，附圖僅示出根據本公開的幾個實施例，且因此不應被考慮為其范圍的限制。將通過附圖的使用以附加的特性和細節來描述本公開，以便可更容易確定本公開的優點，其中：

圖1是根據本描述的實施例的非平面晶體管的透視圖。

圖2示出在微電子襯底中或上形成的非平面晶體管的側截面視圖。

圖3示出根據本描述的實施例沉積在圖2的非平面晶體管鰭片之上的犧牲材料的側截面視圖。

圖4示出根據本描述的實施例在所沉積的犧牲材料中形成的溝槽以暴露出圖3的非平面晶體管鰭片的一部分的側截面視圖。

圖5示出根據本描述的實施例形成在圖4的溝槽中的犧牲柵極的側截面視圖。

圖6示出根據本描述的實施例在圖5的犧牲材料的移除之后的犧牲柵極的側截面視圖。

圖7示出根據本描述的實施例的沉積在圖6的犧牲柵極和微電子襯底之上的共形介電層的側截面視圖。

圖8示出根據本描述的實施例的由圖7的共形介電層形成的柵極隔板的側截面視圖。

圖9示出根據本描述的實施例的在圖8的柵極隔板的任一側上形成在非平面晶體管鰭片中的源極區和漏極區的側截面視圖。

圖10示出根據本描述的實施例的沉積在圖9的柵極隔板、犧牲柵極、非平面晶體管鰭片和微電子襯底之上的第一介電材料的側截面視圖。

圖11示出根據本描述的實施例的圖10在平面化第一介電材料以暴露出犧牲柵極的頂表面之后的結構的側截面視圖。

圖12示出根據本描述的實施例的圖11在移除犧牲柵極以形成柵極溝槽之后的結構的側截面視圖。

圖13示出根據本描述的實施例的圖12在形成相鄰于柵極隔板之間的非平面晶體管鰭片的柵極電介質之后的結構的側截面視圖。

圖14示出根據本描述的實施例的沉積在圖13的柵極溝槽中的導電柵極材料的側截面視圖。

圖15示出根據本描述的實施例的圖14在移除多余的導電柵極材料以形成非平面晶體管柵極之后的結構的側截面視圖。

圖16示出根據本描述的實施例的圖15在蝕刻掉非平面晶體管柵極的一部分以形成凹進的非平面晶體管柵極之后的結構的側截面視圖。

圖17示出根據本描述的實施例的在將覆蓋(capping)介電材料沉積在源自凹進的非平面晶體管柵極而形成的凹槽中之后的圖16的結構的側截面視圖。

圖18示出根據本描述的實施例的在移除多余的覆蓋介電材料以在非平面晶體管柵極上形成覆蓋結構之后的圖17的結構的側截面視圖。

圖19示出根據本描述的實施例的沉積在圖18的第一介電材料層、柵極隔板和犧牲柵極頂表面之上的第二介電材料的側截面視圖。

圖20示出根據本描述的實施例的在圖19的第二介電材料上圖案化的蝕刻掩模的側截面視圖。

圖21示出根據本描述的實施例的通過圖20的第一和第二介電材料形成的接觸開口的側截面視圖。

圖22示出根據本描述的實施例的圖21在移除蝕刻掩模之后的結構的側截面視圖。

圖23示出根據本描述的實施例的在圖22的接觸開口中形成的含鈦接觸界面層的側截面視圖。

圖24示出根據本描述的實施例的在含鈦接觸界面層與在非平面晶體管鰭片中形成的源極/漏極區之間分立地形成的硅化鈦界面的側截面視圖。

圖25示出根據本描述的實施例的沉積在圖24的接觸開口中的導電接觸材料的側截面視圖。

圖26示出根據本描述的實施例的圖25在移除多余的導電接觸材料以形成源極/漏極觸點之后的結構的側截面視圖。

具體實施方式