[發明專利]非平面晶體管的源極/漏極觸點

在審

• 申請號: 201180074516.5
• 申請日: 2011-10-01
• 公開（公告）號: CN103918083A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: S·S·普拉丹;S·M·喬希;J-S·全
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 韓宏;陳松濤

1.一種微電子設備，包括：

含硅源極/漏極區；

與所述含硅源極/漏極區相鄰的源極/漏極觸點，其中所述源極/漏極觸點包括導電接觸材料以及設置在導電接觸材料和所述含硅源極/漏極區之間的含鈦接觸界面層；以及

硅化鈦界面，其設置在所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間。

2.如權利要求1所述的微電子設備，其中所述含鈦接觸界面層包括基本上純的鈦。

3.如權利要求1所述的微電子設備，其中所述導電接觸材料包括鎢。

4.如權利要求1所述的微電子設備，其中所述硅化鈦界面基本上只存在于所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間。

5.一種微電子設備，包括：

在非平面晶體管鰭片之上的非平面晶體管柵極，其中所述非平面晶體管柵極包括在柵極隔板之間凹進的柵極電極和在所述柵極隔板之間的所凹進的柵極電極上設置的覆蓋結構，

含硅源極/漏極區；

在所述源極/漏極區、所述非平面晶體管柵極隔板和所述覆蓋結構之上的至少一個介電材料層；

源極/漏極觸點，其延伸穿過所述至少一個介電材料層的一部分，并包括導電接觸材料以及設置在導電接觸材料和所述含硅源極/漏極區之間的含鈦接觸界面層；以及

設置在所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間的硅化鈦界面。

6.如權利要求5所述的微電子設備，其中所述含鈦接觸界面層包括基本上純的鈦。

7.如權利要求5所述的微電子設備，其中所述導電接觸材料包括鎢。

8.如權利要求5所述的微電子設備，其中所述硅化鈦界面基本上只存在于所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間。

9.如權利要求5所述的微電子設備，其中所述含鈦接觸界面層鄰接一個非平面晶體管柵極隔板的至少一部分。

10.如權利要求9所述的微電子設備，其中所述含鈦接觸界面層鄰接所述覆蓋結構的至少一部分。

11.一種制造微電子設備的方法，包括：

形成含硅源極/漏極區；

在所述含硅源極/漏極區之上形成介電材料；

形成穿過所述介電材料的接觸開口，以暴露出所述源極/漏極區的一部分；

將含鈦接觸界面層共形地沉積在所述接觸開口內，以鄰接所述含硅源極/漏極區；

將導電接觸材料沉積在所述接觸開口內，以鄰接所述含鈦接觸界面層；以及

在所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間形成硅化鈦界面。

12.如權利要求11所述的方法，其中共形地沉積所述含鈦接觸界面層包括：沉積基本上純鈦的接觸界面層。

13.如權利要求11所述的方法，其中將導電接觸材料沉積在所述接觸開口內包括：將鎢沉積在所述接觸開口內。

14.如權利要求11所述的方法，其中在所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間形成所述硅化鈦界面包括：通過加熱所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層來在所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間形成所述硅化鈦界面。

15.如權利要求11所述的方法，其中形成所述硅化鈦界面包括：基本上只在所述含硅源極/漏極區和所述含鈦接觸界面層之間形成硅化鈦。