[發(fā)明專利]集成電路器件、控域網(wǎng)驅(qū)動模塊及其方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180074314.0 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN103891254A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 亞歷克西斯·于奧-馬爾尚;帕特里斯·貝塞;斯特凡妮·克勒沃-布里;米里耶勒·德拉熱 | 申請（專利權(quán)）人： | 飛思卡爾半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H04L29/12 | 分類號： | H04L29/12;H04L29/02 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 陳依虹;劉光明 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 器件 控域網(wǎng) 驅(qū)動 模塊 及其 方法 | ||
1.一種控域網(wǎng)、CAN、驅(qū)動模塊，包括：
至少一個驅(qū)動組件，所述至少一個驅(qū)動組件包括至少一個控制輸入以及至少一個輸出，所述至少一個控制輸入被布置成接收至少一個控制信號，所述至少一個輸出用于耦合于至少一個CAN總線線路并且被布置成至少部分地基于接收的至少一個控制信號可控地輸出負載電流；以及
至少一個靜電放電、ESD保護組件，所述至少一個靜電放電、ESD保護組件能夠可操作地耦合于所述至少一個CAN總線線路；
其中所述至少一個CAN驅(qū)動模塊進一步包括：
至少一個負載電流感測組件，所述至少一個負載電流感測組件被布置成感測由所述至少一個驅(qū)動組件輸出的負載電流，并生成包括了由所述至少一個驅(qū)動組件輸出的所述負載電流的指示的至少一個負載電流信號；以及
至少一個負載電流限制組件，所述至少一個負載電流限制組件被布置成接收由所述至少一個負載電流感測組件生成的所述至少一個負載電流信號，并且如果所述至少一個負載電流信號指示所述負載電流超過閾值，則使得所述至少一個驅(qū)動組件至少部分地限制由此輸出的所述負載電流；
其中所述至少一個ESD保護組件包括包括了至少一個快速跳回性能的至少一個ESD保護元件和可操作地跨所述至少一個ESD保護元件并聯(lián)耦合的至少一個非快速跳回保護元件，所述至少一個非快速跳回保護元件包括小于所述至少一個ESD保護元件的擊穿電壓的擊穿電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中所述至少一個ESD保護組件的所述至少一個非快速跳回保護元件包括至少一個二極管，所述至少一個二極管包括小于包括了所述至少一個快速跳回性能的所述至少一個ESD保護元件的擊穿電壓的擊穿電壓。
3.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的模塊，其中所述至少一個ESD保護元件包括至少一個雙極型晶體管。
4.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的模塊，其中所述至少一個負載電流感測組件包括至少一個感測電阻元件，所述至少一個負載電流的至少一部分被布置成流經(jīng)所述至少一個感測電阻元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的模塊，其中所述至少一個負載電流信號至少部分地基于跨所述至少一個感測電阻元件的電壓。
6.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的模塊，其中所述至少一個負載電流限制組件被布置成輸出提供給所述至少一個驅(qū)動組件的所述至少一個控制信號，并且通過相應(yīng)地配置所述至少一個控制信號而使得所述至少一個驅(qū)動組件至少部分地限制由此輸出的所述至少一個負載電流。
7.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的模塊，其中所述至少一個負載電流限制組件被布置成將所述至少一個負載電流信號與參考信號進行比較，并且至少部分地基于所述至少一個負載電流信號與所述參考信號的比較，確定指示了所述負載電流的所述至少一個負載電流信號是否超過閾值。
8.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的模塊，其中所述至少一個驅(qū)動組件包括至少一個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述至少一個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管包括柵極端子和漏極端子，所述柵極端子被布置成接收所述至少一個控制信號，所述漏極端子可操作地耦合于所述至少一個CAN總線線路并且被布置成至少部分地基于接收的至少一個控制信號可控地輸出所述至少一個負載電流的至少一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的模塊，其中所述至少一個CAN驅(qū)動模塊包括第一驅(qū)動組件，所述第一驅(qū)動組件包括P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)，所述P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管包括被布置成接收第一控制信號的柵極端子和可操作地耦合于第一CAN總線線路(CAN_H)的漏極端子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的模塊，其中所述第一驅(qū)動組件被布置成至少部分地基于接收的第一控制信號可控地輸出第一負載電流(IH)的至少一部分。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求9或10中的任何一項所述的模塊，其中所述至少一個CAN驅(qū)動模塊進一步包括第二驅(qū)動組件，所述第二驅(qū)動組件包括N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-MOSFET)，所述N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-MOSFET)包括被布置成接收第二控制信號的柵極端子和可操作地耦合于第二CAN總線線路(CAN_L)的漏極端子。
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