[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180073906.0
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103843150A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大保廣樹;三島孝博
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池及其制造方法。

背景技術(shù)

在專利文獻1中提出了一種背面結(jié)型的太陽能電池。在背面結(jié)型的太陽能電池中，不一定要在受光面設(shè)置電極。因此，能夠提高受光面的受光效率。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)改善的光電轉(zhuǎn)換效率。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-80887號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

期待進一步改善太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明的主要目的在于，提供一種具有改善的光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。

用于解決問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的太陽能電池包括：光電轉(zhuǎn)換部、和第一和第二電極。光電轉(zhuǎn)換部具有由半導體材料構(gòu)成的基板。第一和第二電極在光電轉(zhuǎn)換部的一主面之上相互隔開間隔配置。在位于光電轉(zhuǎn)換部的一主面?zhèn)鹊幕宓闹髅妫O(shè)置有由晶面構(gòu)成的多個臺面。多個臺面中至少一個容納于第一電極與第二電極之間。

本發(fā)明的太陽能電池的制造方法涉及這樣一種太陽能電池的制造方法，該太陽能電池包括：具有由半導體材料構(gòu)成的基板的光電轉(zhuǎn)換部、和在光電轉(zhuǎn)換部的一主面之上相互隔開間隔配置的第一和第二電極。在本發(fā)明的太陽能電池的制造方法中，通過對基板的主面實施各向同性刻蝕后實施各向異性刻蝕，由此在位于光電轉(zhuǎn)換部的一主面?zhèn)鹊幕宓闹髅妫纬捎删鏄?gòu)成的多個臺面。在光電轉(zhuǎn)換部的一主面之上，隔開能容納多個臺面中至少一個的間隔，形成第一和第二電極。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有改善的光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一實施方式的太陽能電池的概略后視圖。

圖2是圖1的線Ⅱ-Ⅱ的概略截面圖。

圖3是將由半導體材料構(gòu)成的基板的主面的一部分放大得到的示意平面圖。

圖4是圖3的線Ⅳ-Ⅳ的示意截面圖。

圖5是圖1的Ⅴ部分的示意放大圖。圖5中，在設(shè)有副柵線部的區(qū)域中添加陰影，添加陰影的區(qū)域不表示截面。

具體實施方式

下面，對實施本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例進行說明。但是，下述實施方式僅是例示性的。本發(fā)明不受下述實施方式的任何限定。

在實施方式等中參照的各個附圖中，實質(zhì)上具有相同功能的部件用相同的附圖標記表示。另外，在實施方式等中參照的附圖是示意性的記載，附圖中所描繪的物體的尺寸比率等存在與實際物體的尺寸比率等不同的情況。在附圖相互之間，也存在物體的尺寸比率等不同的情況。具體物體的尺寸比率等，應(yīng)參照以下的說明進行判斷。

如圖1和圖2所示，太陽能電池1包括光電轉(zhuǎn)換部20。光電轉(zhuǎn)換部20具有：背面20a、和主要受光的受光面20b。光電轉(zhuǎn)換部20在受光時產(chǎn)生電子和空穴等載流子。

光電轉(zhuǎn)換部20具有由半導體材料構(gòu)成的基板10。基板10具有一種導電類型。具體而言，在本實施方式中，基板10由n型的晶體半導體構(gòu)成。作為優(yōu)選使用的n型的晶體半導體，例如可列舉n型的單晶硅等。

基板10具有第一和第二主面10b、10a。由該第二主面10a構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部20的受光面20b。由第二主面10a構(gòu)成的受光面20b具有絨面（texture）結(jié)構(gòu)。

此處，“絨面結(jié)構(gòu)”是指，為了抑制表面反射，增大光電轉(zhuǎn)換部的光吸收量而形成的凹凸結(jié)構(gòu)。作為絨面結(jié)構(gòu)的具體例可列舉：通過在具有（100）面的單晶硅基板的表面實施各向異性刻蝕而得到的金字塔（pyramid）狀（四棱錐狀或四棱錐臺狀）的凹凸結(jié)構(gòu)；在單晶硅基板或多晶硅基板的表面，用酸刻蝕和干法刻蝕等方法實施各向同性刻蝕而得到的凹凸結(jié)構(gòu)等。

在第二主面10a之上，依次配置有實質(zhì)上為本征的i型非晶質(zhì)半導體層17i、和n型半導體層17n。

半導體層17i例如能夠由包含氫的i型非晶硅等構(gòu)成。半導體層17i的厚度只要是實質(zhì)上對發(fā)電不起作用的程度的厚度，就沒有特別的限制。半導體層17i的厚度例如能夠設(shè)為數(shù)左右。

n型半導體層17n配置于半導體層17i之上。半導體層17n是具有與基板10相同的導電類型的半導體層。半導體層17n例如能夠由n型非晶硅等n型非晶質(zhì)半導體構(gòu)成。半導體層17n的厚度并無特別的限制。半導體層17n的厚度例如能夠設(shè)為左右。

在半導體層17n之上，配置有保護膜16。該保護膜16也兼?zhèn)渥鳛榉瓷湟种颇さ墓δ堋１Ｗo膜16例如能夠由氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等構(gòu)成。其中，保護膜16優(yōu)選由氮化硅膜構(gòu)成。保護膜16的厚度例如能夠設(shè)為80nm～1μm左右。