[發明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201180073906.0 | 申請日: | 2011-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103843150A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 大保廣樹;三島孝博 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:
具有由半導體材料構成的基板的光電轉換部;和
在所述光電轉換部的一主面上相互隔開間隔配置的第一電極和第二電極,
在位于所述光電轉換部的一主面側的所述基板的主面,設置有由晶面構成的多個臺面,
所述多個臺面中的至少一個容納于所述第一電極與所述第二電極之間。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于:
所述臺面是通過對所述基板的主面進行各向同性刻蝕后進行各向異性刻蝕而形成的。
3.如權利要求1或2所述的太陽能電池,其特征在于:
所述第一電極具有多個第一副柵線部,
所述第二電極具有與所述第一副柵線部相鄰的多個第二副柵線部,
所述多個臺面中的至少一個容納于所述第一副柵線部與所述第二副柵線部之間。
4.如權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于:
所述第一副柵線部與所述第二副柵線部之間的間隙比所述第一副柵線部和第二副柵線部各自的寬度窄。
5.如權利要求3或4所述的太陽能電池,其特征在于:
在所述基板的主面,設置有包含通過以包圍所述臺面的方式設置臺階而由所述臺面和所述臺階構成的凹部和凸部的至少一者的凹凸部,
所述多個凹凸部中的至少一個容納于所述第一副柵線部與所述第二副柵線部之間。
6.一種太陽能電池的制造方法,該太陽能電池包括:具有由半導體材料構成的基板的光電轉換部、和在所述光電轉換部的一主面上相互隔開間隔配置的第一電極和第二電極,所述制造方法的特征在于:
通過對所述基板的主面進行各向同性刻蝕后進行各向異性刻蝕,在位于所述光電轉換部的一主面側的所述基板的主面,形成由晶面構成的多個臺面,
在所述光電轉換部的所述一主面上,隔開能容納所述多個臺面中的至少一個的間隔,形成所述第一電極和第二電極。
7.如權利要求6所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
所述各向同性刻蝕的刻蝕量比所述各向異性刻蝕的刻蝕量多。
8.如權利要求6或7所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
通過用線鋸將由半導體材料構成的錠切成片,制作所述基板。
9.如權利要求6~8中的任一項所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
使用堿性的刻蝕液進行所述各向異性刻蝕。
10.如權利要求9所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
通過在所述基板的主面上用CVD法形成半導體層,制作具有所述基板和所述半導體層的所述光電轉換部。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





