[發(fā)明專利]輻射源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201180072807.0 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103733735A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·凱姆鵬;E·魯普斯特拉;C·瓦格納;H·泰根博世;G·斯溫克爾斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05G2/00 | 分類號(hào)： | H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 張啟程 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國(guó)省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輻射源 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2011年8月12日申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)61/522,928的權(quán)益，并且通過引用將其全部?jī)?nèi)容并入到本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及輻射源，該輻射源適合于與光刻設(shè)備一起使用或形成光刻設(shè)備的一部分。
背景技術(shù)
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路（IC）的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底（例如，硅晶片）上的目標(biāo)部分（例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯）上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。
已廣泛地承認(rèn)光刻術(shù)是IC和其它的器件和/或結(jié)構(gòu)制造中的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸不斷變小，光刻術(shù)成為了使微型的IC或其它器件和/或結(jié)構(gòu)能夠被制造的更加關(guān)鍵的因素。
通過如等式（1）中所示出的分辨率的瑞利準(zhǔn)則來給出圖案印刷的極限的理論估計(jì)：
其中，λ是所使用的輻射的波長(zhǎng)，NA是用于印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，k1是依賴于工藝的調(diào)整因子，也稱為瑞利常數(shù)，以及CD是所印刷的特征的特征尺寸（或臨界尺寸）。從等式（1）可以得出，可以以三種方式實(shí)現(xiàn)減小特征的最小可印刷尺寸：通過縮短曝光波長(zhǎng)λ、通過增加數(shù)值孔徑NA或通過減小k1的值。
為了縮短曝光波長(zhǎng)，并因此使最小可印刷尺寸減小，已經(jīng)提出使用極紫外（EUV）輻射源。EUV輻射是具有在5-20nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的電磁輻射，例如在13-14nm的范圍內(nèi)。還提出可以使用具有小于10nm的波長(zhǎng)的EUV輻射，例如在5-10nm的范圍內(nèi)，諸如6.7nm或6.8nm。這樣的輻射用術(shù)語“極紫外輻射”或“軟x射線輻射”來表示?？赡艿脑蠢绨す猱a(chǎn)生等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲(chǔ)環(huán)所提供的同步加速器輻射的源。
可以使用等離子體來產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激勵(lì)燃料以提供等離子體的激光器和用于容納等離子體的源收集器模塊。等離子體可以例如通過將激光束引導(dǎo)到燃料（諸如合適的燃料材料（例如錫）的顆粒（即液滴））或適合的氣體或蒸汽（諸如Xe氣體或Li蒸汽）的流來產(chǎn)生。所形成的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用輻射收集器來收集。輻射收集器可以是反射鏡式的正入射輻射收集器，其接收輻射并且將輻射聚焦成束。源收集器模塊可以包括包封結(jié)構(gòu)或腔，被布置以提供用于支持等離子體的真空環(huán)境。這樣的輻射系統(tǒng)典型地用術(shù)語“激光產(chǎn)生等離子體（LPP）源”來表示。在可替代的也可以采用使用激光器的系統(tǒng)中，輻射可以由通過使用放電所形成的等離子體來產(chǎn)生——放電產(chǎn)生等離子體（DPP）源。
所提出的LPP輻射源產(chǎn)生連續(xù)的燃料液滴流。如上所述，激光束可以被引導(dǎo)到這些燃料液滴以生成用于產(chǎn)生輻射的等離子體。然而，在所述流中，并不是所有液滴都被激光束擊中，因此一些液滴可能穿過和超出等離子體形成位置，而沒有例如被激光束蒸發(fā)等等。這些燃料液滴需要被捕捉，且優(yōu)選地被捕捉成使得最小化或避免濺落，該濺落可能污染輻射源（例如用于形成輻射源的一部分的收集器）。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于ASML荷蘭有限公司，未經(jīng)ASML荷蘭有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201180072807.0/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
