[發(fā)明專(zhuān)利]CMOS器件的IDDQ測(cè)試

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180060400.6
• 申請(qǐng)日: 2011-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103261902A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛真成
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶像股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 高見(jiàn)

1.一種方法，包括：

應(yīng)用測(cè)試圖案輸入至一器件，所述器件包括一個(gè)或多個(gè)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管；

針對(duì)所述器件獲得多個(gè)電流測(cè)量，所述多個(gè)電流測(cè)量中的每一個(gè)是在應(yīng)用所述測(cè)試圖案的輸入至所述器件之后對(duì)電流的測(cè)量；

應(yīng)用濾波函數(shù)至所述多個(gè)電流測(cè)量，應(yīng)用所述濾波函數(shù)包括從所述電流測(cè)量分離缺陷電流值；以及

基于所述缺陷電流值與閾值的比較，確定是否有缺陷存在于所述器件中。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，每一電流測(cè)量包括信號(hào)分量與噪聲分量，所述信號(hào)分量為所述缺陷電流，而所述噪聲分量包括所述一個(gè)或多個(gè)CMOS晶體管的漏電流。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，應(yīng)用所述濾波函數(shù)包括：

放大所述電流測(cè)量中的所述缺陷電流，并降低所述測(cè)量中的漏電流值；以及

聚集經(jīng)放大的缺陷電流。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，放大所述缺陷電流包括執(zhí)行所述多個(gè)電流測(cè)量的卷積。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，放大所述缺陷電流包括執(zhí)行所述多個(gè)電流測(cè)量的加權(quán)求和。

6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，聚集所述經(jīng)放大的缺陷電流包括聚集高于特定閾值的經(jīng)放大的電流值。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，應(yīng)用所述濾波函數(shù)包括應(yīng)用多個(gè)濾波函數(shù)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，應(yīng)用所述濾波函數(shù)至用于所述器件的多個(gè)電流測(cè)量包括置換所述電流測(cè)量以生成置換的電流結(jié)果。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，應(yīng)用所述濾波函數(shù)包括串接所述電流測(cè)量與所述置換的電流結(jié)果。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括生成所述濾波函數(shù)。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括基于隨機(jī)數(shù)生成來(lái)生成所述濾波函數(shù)。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，生成所述濾波函數(shù)包括利用n階遞歸方程。

13.一種測(cè)試裝置，包括：

用于測(cè)試下的器件的接口，連接以應(yīng)用一組輸入至一器件，所述器件包括一個(gè)或多個(gè)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件；

用于應(yīng)用測(cè)試圖案輸入至所述測(cè)試下的器件的邏輯；

電流測(cè)量單元，用于針對(duì)所述輸入組中的每一輸入測(cè)量所述器件的電流，并產(chǎn)生多個(gè)電流測(cè)量；

用于從所述電流測(cè)量分離缺陷電流——包括應(yīng)用噪聲濾波函數(shù)至所述電流測(cè)量——的邏輯；以及

用于至少部分地基于所述缺陷電流確定所述測(cè)試下的器件中缺陷的存在性的邏輯。

14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述用于分離所述缺陷電流的邏輯包括用于放大缺陷電流值并降低噪聲電流值的邏輯。

15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，對(duì)所述缺陷電流值的放大包括所述電流測(cè)量的加權(quán)求和。

16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，用于分離所述缺陷電流的邏輯包括用于卷積所述電流測(cè)量與所述噪聲濾波函數(shù)以分離缺陷電流，以及聚集所述測(cè)試下的器件的所述缺陷電流的邏輯。

17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述缺陷電流的聚集包括聚集高于特定閾值的經(jīng)放大的缺陷電流值。

18.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述噪聲濾波函數(shù)的應(yīng)用包括應(yīng)用多個(gè)濾波函數(shù)。

19.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述噪聲濾波函數(shù)的應(yīng)用包括置換所述電流測(cè)量以生成置換的電流結(jié)果。

20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述噪聲濾波函數(shù)的應(yīng)用包括串接所述電流測(cè)量與所述置換的電流結(jié)果。