[發明專利]具有物理氣相沉積形成氮化鋁緩沖層的氮化鎵類發光二極管的制造

在審

• 申請號: 201180060112.0
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN103262215A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 朱鳴偉;維韋卡·阿格拉沃爾;納格·B·帕蒂班德拉;奧姆卡爾姆·納蘭姆蘇
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203;H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種多腔室系統，包括：

物理氣相沉積（PVD）腔室，所述PVD腔室具有包含鋁的靶；以及

適于沉積無摻雜的氮化鎵，或n型的氮化鎵，或前述兩種氮化鎵的腔室。

2.如權利要求1的系統，其中所述PVD腔室的所述靶包含氮化鋁。

3.如權利要求1的系統，其中所述適于沉積無摻雜的氮化鎵或n型的氮化鎵的腔室包括金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）腔室。

4.如權利要求1的系統，其中所述適于沉積無摻雜的氮化鎵或n型的氮化鎵的腔室包括氫化物氣相外延（HVPE）腔室。

5.如權利要求1的系統，其中所述PVD腔室與所述適于沉積無摻雜的氮化鎵或n型的氮化鎵的腔室被包含在組合工具布置中。

6.如權利要求1的系統，其中所述PVD腔室與所述適于沉積無摻雜的氮化鎵或n型的氮化鎵的腔室被包含在沿線工具布置中。

7.如權利要求1的系統，所述系統進一步包括：

快速熱處理（RTP）腔室或激光退火腔室。

8.一種制造發光二極管（LED）結構的方法，所述方法包含以下步驟：

在多腔室系統的物理氣相沉積（PVD）腔室中在襯底上方形成氮化鋁層；以及

在所述多腔室系統的第二腔室中在所述氮化鋁層上形成無摻雜的氮化鎵層或n型的氮化鎵層。

9.如權利要求8的方法，其中形成所述氮化鋁層的步驟包含以下步驟：從安置于所述PVD腔室中的氮化鋁靶濺射。

10.如權利要求8的方法，其中在所述第二腔室中形成所述無摻雜的氮化鎵層或n型的氮化鎵層的步驟包含以下步驟：在第一金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）腔室中形成。

11.如權利要求10的方法，所述方法進一步包含以下步驟：

在所述多腔室系統的第二MOCVD腔室中在所述無摻雜的氮化鎵層或n型的氮化鎵層上方形成多量子阱（MQW）結構；以及

在所述多腔室系統的第三MOCVD腔室中在所述MQW結構上方形成p型的氮化鋁鎵層或p型的氮化鎵層。

12.如權利要求8的方法，其中形成所述氮化鋁層的步驟包含以下步驟：在大約范圍在20℃至200℃的襯底溫度下形成。

13.如權利要求8的方法，其中形成所述氮化鋁層的步驟包含以下步驟：在大約范圍在200℃至1200℃的襯底溫度下形成。

14.如權利要求8的方法，所述方法進一步包含以下步驟：

在所述氮化鋁層上形成所述無摻雜的氮化鎵層或n型的氮化鎵層之前，在快速熱處理（RTP）腔室中退火所述氮化鋁層。

15.如權利要求8的方法，所述方法進一步包含以下步驟：

在形成所述氮化鋁層之前，在具有鎢靶的第二PVD腔室中于所述襯底上方形成鎢（W）層。