[發(fā)明專利]具有集成的間隙的薄膜電感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180059936.6 | 申請日: | 2011-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN103403816B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | P·赫格特;R·E·小豐塔納;B·韋伯;W·加拉赫 | 申請(專利權(quán))人: | 微軟技術(shù)許可有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01F3/14 | 分類號: | H01F3/14;H01F17/00;G11B5/31 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 顧嘉運(yùn) |
| 地址: | 美國華*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 集成 間隙 薄膜 電感器 | ||
1.一種薄膜電感器,包括:
一個或多個臂;
經(jīng)過每一臂的一個或多個導(dǎo)體;
部分地包裹在所述一個或多個臂中的第一臂中的一個或多個導(dǎo)體周圍的第一鐵磁軛,所述第一鐵磁軛包括磁頂部、磁底部以及位于所述一個或多個臂中的第一臂中的一個或多個導(dǎo)體的相對側(cè)上的通孔區(qū)域,其中所述磁頂部和磁底部通過所述通孔區(qū)域中的低磁阻路徑耦合在一起;以及
所述第一臂的通孔區(qū)域中的至少一個中的頂部和底部之間的一個或多個非磁性間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述一個或多個非磁性間隙是由電絕緣材料制成的。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述一個或多個非磁性間隙是由導(dǎo)電材料制成的。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,還包括部分地包裹在所述一個或多個臂中的第二臂中的一個或多個導(dǎo)體周圍的第二鐵磁軛,所述第二鐵磁軛包括磁頂部、磁底部以及位于所述一個或多個臂中的第二臂中的一個或多個導(dǎo)體的相對側(cè)上的通孔區(qū)域,其中所述磁頂部和磁底部通過所述通孔區(qū)域中的低磁阻路徑耦合在一起;以及
所述第二臂的通孔區(qū)域中的至少一個中的頂部和底部之間的一個或多個非磁性間隙。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜電感器,其特征在于,在相應(yīng)臂中包裹所述一個或多個導(dǎo)體的鐵磁軛中的每一個都具有該鐵磁軛中的單個非磁性間隙。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜電感器,其特征在于,每一個鐵磁軛的非磁性間隙位于所述薄膜電感器的內(nèi)部。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述一個或多個導(dǎo)電體具有螺旋構(gòu)造。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,線圈通過電絕緣材料與所述底部分隔開,其中所述電絕緣材料形成所述一個或多個非磁性間隙并具有由單層沉積創(chuàng)建的物理和結(jié)構(gòu)特性。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述第一鐵磁軛的頂部和底部是由兩個非磁性間隙隔開的。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜電感器,其特征在于,所述兩個非磁性間隙具有不同的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述一個或多個導(dǎo)電體具有兩圈或更多圈。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述一個或多個導(dǎo)電體具有一圈。
13.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述第一鐵磁軛的頂部是平坦的,并且磁性材料的柱子在所述第一鐵磁軛的頂部和底部之間延伸。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜電感器,其特征在于,所述第一鐵磁軛的一個或多個非磁性間隙在一個或多個所述柱子的底部。
15.如權(quán)利要求13所述的薄膜電感器,其特征在于,所述第一鐵磁軛的一個或多個非磁性間隙在一個或多個所述柱子的頂部。
16.如權(quán)利要求1所述的薄膜電感器,其特征在于,所述第一和第二鐵磁軛的頂部和底部中的至少一個是跨所述第一和第二軛連續(xù)的。
17.如權(quán)利要求4所述的薄膜電感器,其特征在于,所述第一和第二鐵磁軛的頂部和底部中的至少一個是磁性和非磁性層的疊層。
18.一種系統(tǒng),包括:
電子設(shè)備;以及
包含薄膜電感器的電源,所述薄膜電感器如權(quán)利要求4所述。
19.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求18所述的系統(tǒng),其特征在于,每一軛的頂部是共形的。
20.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng),其特征在于,每一軛的頂部是平坦的,并且磁性材料的柱子在每一軛的頂部和底部之間延伸。
21.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng),其特征在于,所述第一和第二軛的頂部和底部中的至少一個是磁性和非磁性層的疊層。
22.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng),其特征在于,所述薄膜電感器和所述電子設(shè)備被物理地構(gòu)造在共同的襯底上。
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