[發明專利]用于半導體工件的處理組件及其處理方法

有效

• 申請號: 201180059556.2
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN103262208B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 杰森·賴伊;凱爾·M·漢森
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

一般而言，通過在諸如硅晶片之類的半導體基板上形成電路的制造過程來制造半導體裝置。制造過程通常包括諸如沉積、平坦化、光刻及離子注入的不同工藝步驟的各種順序。在各種處理步驟之間進行清潔(諸如，蝕刻及沖洗)步驟以自基板移除污染物。

舉例而言，在半導體制造中通常將銅沉積于硅晶片上。然而，眾所熟知，銅離子充當半導體制造中的污染物。就此而言，銅離子將擴散至硅內且改變硅的傳導率。此外，在斜面處的銅沉積可剝落且不穩定，且因此通常需要某種蝕刻。因此，較佳地在銅沉積工藝后自工件的所有表面清潔或蝕刻銅離子以便防止污染及/或不當的剝落。

用于半導體的典型銅清潔溶液為稀釋過氧化硫化學物。此化學物或其它清潔溶液可用以清潔工件的后側、在邊緣(斜面)周圍清潔及在前側上的其它特定區上清潔。

在先前設計的腔室中，晶片上的遮蔽區防止晶片完全暴露至清潔化學物(此會導致污染)。此外，在腔室中的用于收集廢清潔化學物的化學物收集區未經最佳化來防止化學品濺出，從而也導致污染及不良蝕刻(例如，在斜面蝕刻工藝期間對前側表面或后側表面的蝕刻)。此外，化學物收集未經最佳化以用于回收及重新使用。

因此，存在對經設計以通過減少的遮蔽及改善的化學物收集技術來清潔工件以使濺出最小化及使回收最佳化的腔室的需求。

發明內容

提供此發明內容以按簡化形式介紹以下在具體描述中進一步描述的概念的選擇。此發明內容并不意欲識別所要求保護的主題的關鍵特征，也不意欲用作對判定所要求保護的主題的范圍的輔助。

根據本發明的一個實施例，提供一種用于半導體工件的處理組件。所述處理組件大體包括配置為用于旋轉工件的轉子組件、用于將化學物輸送至所述工件的化學物輸送組件及用于自所述工件收集廢化學物的化學物收集組件。所述化學物收集組件包括配置為與所述轉子組件一起旋轉的堰。

根據本發明的另一實施例，提供一種用于半導體工件的處理組件。所述處理組件大體包括能夠旋轉工件的轉子組件，所述轉子組件包括第一及第二轉子。所述第一轉子能移動以調整在所述第一轉子上的第一工件接收部分與在所述第二轉子上的第二工件接收部分之間的軸向間距，且所述第一轉子包括渦旋空腔，所述渦旋空腔產生壓差用于對在所述第一工件接收部分抑或所述第二工件接收部分上的所述工件加力。所述處理組件進一步包括用于將化學物輸送至所述工件的化學物輸送組件，及用于自所述工件收集廢化學物的化學物收集組件。

根據本發明的另一實施例，提供一種用于處理半導體工件的方法。所述方法大體包括當工件在第一轉子上時，在第一工藝步驟中將化學物輸送至所述工件。所述方法進一步包括將所述工件自所述第一轉子轉移至第二轉子，及當所述工件在所述第二轉子上時，在第二工藝步驟中將化學物輸送至所述工件。所述方法進一步包括當所述工件在所述第一轉子及所述第二轉子中的任一個上時，在旋轉堰中收集來自所述工件的廢化學物。

附圖簡要說明

當結合附圖參考以下具體描述時，本發明的前述方面和許多伴隨優勢將變得更易于理解，其中：

圖1為根據本發明的一個實施例的處理組件的等角視圖；

圖2為圖1的處理組件的一部分的橫截面等角視圖；

圖3為圖2的處理組件的部分的部分橫截面分解圖；

圖4為圖2中顯示的處理組件的部分的橫截面圖，其中轉子組件處于用于接收工件的第一位置中；

圖5為圖2中顯示的處理組件的部分的橫截面圖，其中轉子組件處于用于處理工件的第二位置中；及

圖6為圖2中顯示的處理組件的部分的橫截面圖，其中轉子組件處于用于處理工件的第三位置中。

具體描述

本發明的實施例涉及用于處理工件(諸如，半導體晶片)的處理組件及處理方法。術語工件、晶片或半導體晶片意謂任何平的媒體或物品，包括半導體晶片及其它基板或晶片、玻璃、掩模及光學媒體或存儲器媒體、MEMS基板，或具有微電、微機械或微機電裝置的任何其它工件。

通過參看圖1至圖4可以最佳地理解根據本發明的一個實施例建構的處理組件10。處理組件10具有外壁20和能定位轉子組件24，所述外壁20限定內處理腔室22，能定位轉子組件24用于接收、定位及旋轉安置于處理腔室22內的工件W。處理組件10進一步包括用于將化學物輸送至工件W的化學物輸送組件26及用于收集經使用的化學物及棄置或再循環經使用的化學物的化學物收集組件28。