[發明專利]用于連接腔室部件的附著材料

有效

• 申請號: 201180054325.2
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN103201823B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: J·Y·孫;S·班達
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 侯穎媖

技術領域

本發明的實施例大體上關于半導體處理腔室，更具體地關于適合用于連接半導體處理腔室部件的附著材料。

相關技術描述

半導體處理涉及許多不同的化學及物理工藝，藉以使極微小的集成電路建立在襯底上。構成集成電路的材料層藉由化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長、與類似工藝而建立。一些所述材料層通過使用光刻膠掩模及濕式或干式蝕刻技術加以圖案化。用于形成集成電路的襯底可以是硅、砷化鎵、磷化銦、玻璃、或任何其他適合的材料。

一般的半導體處理腔室可具有許多部件。一些部件包括界定工藝區塊的腔室主體、適以從氣體供應器供應工藝氣體進入工藝區塊的氣體分配組件、用于在工藝區塊內賦予工藝氣體能量的氣體賦能器（例如等離子體生成器）、襯底支撐組件、以及氣體排放器。一些部件可由多個零件的組件所構成。例如，噴頭組件可包括導電基底板，所述導電基底板以附著式接合到陶瓷氣體分配板。有效的零件接合需要適合的附著劑以及獨特的接合技術，以確保所述零件彼此固定地附接，且同時補償熱膨脹上的任何不匹配且不至于不利地產生任何界面缺陷。

因此，需要一種穩固的附著材料用以組裝半導體處理腔室中的零件和/或部件。

發明內容

本發明的實施例提供一種穩固的接合材料，所述接合材料適合用于連接半導體處理腔室部件。在一個實施例中，適合用于連接半導體腔室部件的附著材料包括具有低于300psi的楊氏模量的附著材料。

在另一實施例中，一種半導體腔室部件包括第一表面與附著材料，所述第一表面配置成鄰接第二表面，而所述附著材料耦接第一表面與第二表面，其中所述附著材料具有低于300psi的楊氏模量。

在又一實施例中，一種用于接合多個半導體處理腔室部件的方法包括以下步驟：施加附著材料于第一部件的表面上，其中所述附著材料具有低于300psi的楊氏模量；通過與所述附著材料接觸而將第二部件耦接至所述第一部件的表面；以及熱處理耦接第一部件與第二部件的附著層。

附圖說明

藉由參考實施例（一些實施例于附圖中說明），可獲得在發明內容中簡要總結的本發明的更特定的描述，而能夠詳細地了解在具體實施方式中記載的本發明的特征。

圖1描繪使用根據本發明的接合材料的處理腔室的一個實施例的剖面視圖；

圖2描繪一個實施例的剖面視圖，其中多個襯底是由根據本發明的附著材料所接合；以及

圖3描繪一個實施例的分解剖面視圖，其中多個襯底是由根據本發明的附著材料的穿孔片料所接合。

然而應注意附圖僅說明此發明的典型實施例，而不應將所述附圖視為限制本發明的范疇，因為本發明可容許其他等效實施例。

為了便于理解，如可能則使用相同元件符號標注各圖共有的相同元件。可構想，一個實施例的元件可有利地用于其他實施例，而無須進一步記載。

具體實施方式

本發明的實施例提供一種用于接合半導體處理腔室中所用的零件的穩固附著材料、以本發明的附著材料接合的處理腔室部件、以及用于制造所述附著材料的方法。在一個實施例中，所述穩固的接合材料是基于硅酮的材料，所述基于硅酮的材料具有某些期望的附著材料特性，以便提供良好的接合界面而用于接合氣體分配組件或半導體處理腔室的其他不同組件中的零件。所述附著材料具有期望的熱膨脹系數、熱應力、伸長率、及熱導率的范圍，以便提供多個接合部件之間的穩固接合，所述接合部件是用在嚴峻的等離子體蝕刻環境與類似環境中。

圖1是根據本發明的半導體處理腔室100的一個實施例的剖面視圖，所述腔室100具有至少一個利用接合材料的部件。適合的處理腔室100的一個范例是ENABLER^TM Etch System，所述腔室可購自美國加州圣克拉拉市的應用材料公司。可構想，其他處理腔室可適于受益于在此揭示的一個或多個本發明技術。