[發(fā)明專利]采用等離子體聚合預(yù)處理對(duì)物件的金屬涂覆無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180054110.0 | 申請日: | 2011-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103328686A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 思文·歌德;比約恩·阿特霍夫;卡爾-貢納·拉爾森 | 申請(專利權(quán))人: | 凱普卓尼克技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào): | C23C18/16 | 分類號(hào): | C23C18/16;C23C18/18;C23C18/20;H05K3/18 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立;高為華 |
| 地址: | 塞浦路斯*** | 國省代碼: | 塞浦路斯;CY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 等離子體 聚合 預(yù)處理 物件 金屬 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般地涉及一種將金屬施加到基底上的方法以及使用該方法涂覆的物件。?
背景技術(shù)
WO98/34446公開了一種以獨(dú)特的圖案將導(dǎo)電材料施加到有機(jī)基底上的方法,根據(jù)所述不同的模式對(duì)表面層進(jìn)行化學(xué)改性以獲得的不同粘結(jié)區(qū)域,此后將導(dǎo)電材料施加到這些區(qū)域上。?
WO2007/116056公開了一種將金屬施加到基底上的方法,包含:a)在基底的表面上生成聚合物,其中所述聚合物包含羧基和至少一種其它金屬的吸附離子,b)將所述離子還原為第二金屬和c)將第一金屬沉積在還原的離子上。提及的等離子體處理作為初始步驟以提高施加至所述表面的隨后溶液的濕潤性,以及作為清洗步驟。?
WO2007/116057公開了應(yīng)用于紙張的上述方法。?
WO00/20656公開了一種將金屬施加到固體聚合物基底上的方法,包含:a)使基底表面接觸氣體等離子體以在其上產(chǎn)生自由基,b)使用等離子體增強(qiáng)的聚合方法在所述表面上形成層,c)使用PVD或CVD方法沉積金屬原子以提供短暫表面沉積,和d)任選地使用常規(guī)無電鍍浴提供表面金屬化。?
對(duì)于使用CVD和/或PVD的方法,如何提高金屬層的附著力是一個(gè)問題。?
US6,383,575公開了一種在固體基底上生產(chǎn)金屬膜的方法,其包括使用金屬前體涂覆基底表面并通過非平衡等離子體處理還原所述金屬前體,所述等離子體處理有效地將金屬前體還原為相應(yīng)的金屬。還公開了一種實(shí)施方式,其中基底對(duì)金屬前體溶液是不可濕的(例如PTFE基底),然后可以首先沉積等離子體聚合物耦合層(例如馬來酸酐、烯丙胺、丙烯酸等)以提高金屬前體與基底的附著力。然后可以將金屬前體沉積到該等離子體聚合物層上并隨后還原。金屬前體的例子為有機(jī)金屬化合物、金屬有機(jī)化合物和合適的金屬的鹽。?
盡管公布文本W(wǎng)O2007/116056和WO2007/116057中公開的包括生成?具有羧基和吸附離子的聚合物的方法能夠以優(yōu)異的附著力在大多數(shù)基底上施加金屬層,但發(fā)現(xiàn)對(duì)于一些基底還有改進(jìn)的空間。如果基底材料中具有可以被提取的氫原子,上述公布中描述的技術(shù)表現(xiàn)優(yōu)異。對(duì)于上述方法中使用的溶液敏感的基底可能難以用金屬涂覆。一個(gè)例子是聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(PC/ABS)塑料,其對(duì)低pH和高pH的溶液敏感。另外,鹵素聚合物以及不含有或幾乎不含有可提取氫原子的聚合物可能不太適合根據(jù)此技術(shù)狀況進(jìn)行涂覆。另外,玻璃和陶瓷材料可能難以涂覆。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是減少至少一些現(xiàn)有技術(shù)的不足并提供一種改良的方法,其提高附著力并能夠以良好的附著力涂覆更廣泛的基底。?
在第一方面,提供了一種至少部分地將第一金屬施加到基底的表面上的方法,包含步驟:?
a)在等離子體中處理所述基底以涂覆涂層,所述等離子體包含選自于不飽和單體和多達(dá)10個(gè)碳原子的烷烴類中的至少一種化合物,?
實(shí)施步驟b1和b2之一,?
b1)在所述基底的表面上生成聚合物,所述聚合物包含羧基和至少一種第二金屬的吸附離子,還原所述離子為第二金屬,?
b2)在所述基底的表面上生成聚合物,所述聚合物包含羧基,將所述基底的表面與至少一種第二金屬的膠體金屬粒子的至少一種分散體接觸,其中所述顆粒具有5-500nm范圍的直徑,?
c)在所述第二金屬上沉積所述第一金屬。?
在第二方面,提供了一種由所述方法制造的物件。?
進(jìn)一步的具體實(shí)施方式在說明書和所附權(quán)利要求中詳細(xì)描述。?
本發(fā)明的優(yōu)勢包括對(duì)所使用的溶液的比如低pH/高pH或其它性質(zhì)敏感的基底如PC/ABS能夠涂以金屬,因?yàn)樗扛驳牡入x子體聚合材料的薄涂層充當(dāng)為保護(hù)屏障。進(jìn)一步的優(yōu)勢為能夠涂覆幾乎不含有(環(huán)氧樹脂)不可提取的氫原子的基底,因?yàn)樗扛驳牡入x子體聚合材料的薄涂層具有可提取的氫原子。此外,含有部分去活化接枝過程的鹵素原子(如溴)的聚合物材料也可以使用。進(jìn)一步的優(yōu)勢在于無機(jī)材料包括但不限于玻璃、SiO2可以用作基底并成功地被涂覆。?
具體實(shí)施方式
在詳細(xì)公開和描述本發(fā)明之前,應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不局限于本文所公?開的特定化合物、組合、方法步驟、基底和材料,因?yàn)檫@些化合物、組合、方法步驟、基底和材料可能會(huì)有所改變。還應(yīng)理解的是本文所用的術(shù)語只是為了描述特定的具體實(shí)施方式并不意味著限制,因?yàn)楸景l(fā)明的范圍只受所附的權(quán)利要求書及其等同物限制。?
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
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