[發明專利]印刷配線基板的制造方法以及印刷配線基板有效
| 申請號: | 201180052339.0 | 申請日: | 2011-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN103202107A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 南高一;佐藤真隆;荻洼真也;原未奈子 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/28 | 分類號: | H05K3/28 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本東京港區*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 印刷 配線基板 制造 方法 以及 | ||
技術領域
本發明涉及一種印刷配線基板的制造方法以及印刷配線基板。
背景技術
近年來,隨著電子設備的高功能化等要求,而電子零件的高密度積體化、高密度安裝化等取得進展,該些電子零件所使用的印刷配線基板等亦于小型化且高密度化方面取得進展。此種狀況下,印刷配線基板中的配線的間隔更加變得狹小,為了防止配線間的短路,亦要求進一步提高配線間的絕緣可靠性。
阻礙銅或銅合金的配線間的絕緣性的主要原因之一,已知所謂的銅離子的遷移。其為如下現象:若于配線電路間等產生電位差,則構成配線的銅因水分存在而發生離子化,而溶出的銅離子移動至鄰接的配線。由于此種現象,所溶出的銅離子隨著時間經過而還原成為銅化合物,并成長為樹枝狀結晶(樹枝狀晶)狀,結果導致配線間短路。
防止此種遷移的方法提出有形成使用苯并三唑(benzotriazole)的遷移抑制層的技術(專利文獻1及專利文獻2)。更具體而言,該些文獻中指出,在配線基板上形成用以抑制銅離子遷移的層,來提高配線間的絕緣可靠性。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-257451號公報
[專利文獻2]日本專利特開平10-321994號公報
發明內容
另一方面,如上所述,近年來,配線的微細化取得迅速進展,而對配線間的絕緣可靠性的要求進一步提高。
本發明者等人對專利文獻1及專利文獻2所記載的使用苯并三唑的遷移抑制層進行研究,結果此遷移抑制層的效果較小,且必須使配線間的絕緣可靠性滿足近來所要求的水平。
本發明是鑒于上述實際情況而完成,其目的是提供一種配線間的絕緣可靠性優異的印刷配線基板的制造方法、及藉由此方法而得的印刷配線基板。
本發明者等人進行銳意研究,結果發現,藉由以下構成可解決上述課題。
(1)一種印刷配線基板的制造方法,其包括:層形成步驟,使具有基板及配置于所述基板上的銅或銅合金配線的核心基板、與包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑且pH值顯示5~12的處理液接觸,然后藉由溶劑清洗核心基板,而于銅或銅合金配線表面上形成包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑的銅離子擴散抑制層;以及
絕緣膜形成步驟,于層形成步驟后,于設置有銅離子擴散抑制層的核心基板上形成絕緣膜。
(2)如(1)記載的印刷配線基板的制造方法,其中1,2,3-三唑及1,2,4-三唑在銅或銅合金配線表面上的附著量為5×10-9g/mm2~1×10-6g/mm2。
(3)如(1)或(2)記載的印刷配線基板的制造方法,其中于層形成步驟后、且于絕緣膜形成步驟前,包括將設置有銅離子擴散抑制層的核心基板加熱干燥的干燥步驟。
(4)如(1)至(3)中任一項記載的印刷配線基板的制造方法,其中處理液的pH值為5~9。
(5)如(1)至(4)中任一項記載的印刷配線基板的制造方法,其中溶劑包含選自由水、醇系溶劑、及甲基乙基酮所組成群組中的至少1種。
(6)一種印刷配線基板,其藉由如(1)至(5)中任一項記載的印刷配線基板的制造方法而制造。
[發明的效果]
根據本發明,可提供配線間的絕緣可靠性優異的印刷配線基板的制造方法、及藉由此方法而得的印刷配線基板。
附圖說明
圖1(A)-(D)是依序表示本發明的印刷配線基板的制造方法中的各步驟的自基板至印刷配線基板為止的示意性剖面圖。
具體實施方式
以下,對本發明的印刷配線基板的制造方法、及藉由此方法而得的印刷配線基板進行說明。
本發明的特征點可列舉:使包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑等唑化合物、且顯示規定pH值的處理液、與具有銅或銅合金配線圖案的核心基板接觸后,再進行清洗。本發明者等人發現,若基板上殘存唑(azole)化合物,則設置于核心基板上的絕緣膜與基板之間產生密接不良等,而導致短路。另外,若使所述唑化合物以外的苯并三唑(benzotriazole)等唑化合物與所述核心基板接觸后進行清洗,則銅或銅合金配線上的唑化合物亦會同時被除去,而表現不出所期望的效果。而且,若使用規定pH值域以外的處理液、或包含蝕刻劑等溶解銅的成分的處理液,則使唑化合物與銅或銅合金配線接觸后,可于配線上形成包含唑化合物與銅離子的錯合物的皮膜,而無法表現抑制遷移的效果。
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