[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換元件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180051703.1
• 申請(qǐng)日: 2011-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103201846A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林宏之;福永敏明;村上直樹(shù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種光電轉(zhuǎn)換元件，于基板上具有包含過(guò)渡金屬元素的導(dǎo)電層、包含化合物半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及透明電極的積層構(gòu)造，所述化合物半導(dǎo)體含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，其特征在于：

于所述導(dǎo)電層與所述光電轉(zhuǎn)換層之間包括過(guò)渡金屬二硫?qū)倩锉∧?，所述過(guò)渡金屬二硫?qū)倩锉∧ぐ鲞^(guò)渡金屬元素與所述VIb族元素，

所述過(guò)渡金屬二硫?qū)倩锉∧ぐ鄠€(gè)微結(jié)晶，所述多個(gè)微結(jié)晶中，c軸為大致垂直地形成于所述導(dǎo)電層的表面的微結(jié)晶于形成有所述薄膜的導(dǎo)電層的表面所占的比例為80%以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層包含經(jīng)取向的多晶薄膜，所述經(jīng)取向的多晶薄膜于表面具有規(guī)定的面，膜厚方向的面間隔為塊狀結(jié)晶的面間隔以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述規(guī)定的面為（110）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層的表層的至少一部分包含薄膜，所述薄膜包含未取向的微結(jié)晶。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層的表層的至少一部分已氧化或氮化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述過(guò)渡金屬元素為Mo。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述Ib族元素為Cu，所述IIIb族元素為選自包含Al、Ga以及In的群組的至少一種元素，所述VIb族元素為Se。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述過(guò)渡金屬二硫?qū)倩锉∧镸oSe₂薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述基板為陽(yáng)極氧化基板，所述陽(yáng)極氧化基板為選自包含

于Al基材的至少一個(gè)面?zhèn)刃纬捎蠥l₂O₃陽(yáng)極氧化膜的陽(yáng)極氧化基板、

于復(fù)合基材的至少一個(gè)面?zhèn)刃纬捎蠥l₂O₃陽(yáng)極氧化膜，所述復(fù)合基材于Fe材料的至少一個(gè)面?zhèn)葟?fù)合有Al材料的陽(yáng)極氧化基板、

以及于基材的至少一個(gè)面?zhèn)刃纬捎蠥l₂O₃陽(yáng)極氧化膜，所述基材于Fe材料的至少一個(gè)面?zhèn)刃纬捎蠥l膜的陽(yáng)極氧化基板的群組。