[發(fā)明專利]成形體、其制備方法、電子裝置用部件及電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180050643.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN103249767A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巖屋涉;近藤健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C08J7/00
• 分類號(hào): C08J7/00;B32B27/00;B32B27/30;C23C14/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 林毅斌;李進(jìn)

1.?成形體，所述成形體為具有阻氣層的成形體，其特征在于，所述阻氣層具有由至少含有碳原子、氧原子和硅原子的材料構(gòu)成的表層部，在所述表層部中，相對(duì)于碳原子、氧原子、氮原子和硅原子的總存在量，碳原子的存在比例為超過0%且70%以下，氧原子的存在比例為10%以上且70%以下，氮原子的存在比例為0%以上且35%以下，硅原子的存在比例為20%以上且55%以下。

2.?權(quán)利要求1的成形體，其特征在于，上述阻氣層為含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的層，在40℃、相對(duì)濕度為90%的環(huán)境下的水蒸氣透過率為1g/m²/天以下。

3.?權(quán)利要求2的成形體，其中，相對(duì)于聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的總量，丙烯酸類樹脂的含量為0.1質(zhì)量%以上且70質(zhì)量%以下。

4.?權(quán)利要求1的成形體，其特征在于，上述阻氣層具有向含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的層中注入離子而得的層。

5.?權(quán)利要求4的成形體，其特征在于，上述離子為將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烴的至少一種氣體離子化而得的離子。

6.?權(quán)利要求4的成形體，其特征在于，在上述含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的層中具有通過等離子體離子注入法注入離子而得的層。

7.?權(quán)利要求2的成形體，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物為全氫化聚硅氮烷。

8.?成形體的制備方法，所述制備方法為制備權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)的成形體的方法，其中，具有如下的工序：向在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的層的成形物的上述含有聚硅氮烷類化合物和丙烯酸類樹脂的層的表面部注入離子。

9.?權(quán)利要求8的成形體的制備方法，其中，具有如下的工序：向在表面部具有含有聚硅氮烷類化合物和丙烯酸類樹脂的層的成形物的上述含有聚硅氮烷類化合物和丙烯酸類樹脂的層的表面部，注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氙、氖、氪、硅化合物和烴的至少一種氣體的離子。

10.?權(quán)利要求8的成形體的制備方法，其特征在于，上述注入離子的工序?yàn)橥ㄟ^等離子體離子注入法注入離子的工序。

11.?權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)的成形體的制備方法，其特征在于，在將表面部具有含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的層的長(zhǎng)成形物沿一定方向運(yùn)送的同時(shí)，向上述含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸類樹脂的層中注入離子。

12.?電子裝置用部件，所述電子裝置用部件含有權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)的成形體。

13.?電子裝置，所述電子裝置具備權(quán)利要求12的電子裝置用部件。