[發明專利]具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器

有效

• 申請號: 201180046114.4
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103124998A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 郝武揚;徐鐘元;李康浩;金泰賢;金正丕;升·H·康
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

技術領域

本發明大體上涉及基于電阻的存儲器。

背景技術

技術的進步已產生較小且更強大的計算裝置。舉例來說，當前存在多種便攜式個人計算裝置，包含無線計算裝置，例如便攜式無線電話、個人數字助理(PDA)以及尋呼裝置，其體積小、重量輕且易于由用戶攜帶。更明確地說，便攜式無線電話(例如，蜂窩式電話和因特網協議(IP)電話)可經由無線網絡傳達語音和數據包。許多此些無線電話并有額外裝置以為終端用戶提供增強的功能性。舉例來說，無線電話還可包含數字靜態相機、數字視頻相機、數字記錄器以及音頻文件播放器。并且，此些無線電話可處理可執行指令，包含可用以接入因特網的軟件應用程序，例如網頁瀏覽器應用程序。因而，這些無線電話可包含大的計算能力。

計算裝置可包含存儲器，例如磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)陣列。為了操作MRAM陣列，大體上有必要區分陣列內的選定存儲單元與未選定存儲單元。存取裝置可對應于陣列的每一存儲單元且允許對每一存儲單元進行控制。每一存取裝置供應足夠的電流以從對應存儲單元讀取或寫入數據。然而，為了將此電流供應到對應存儲單元，存取裝置可能較大且可能會消耗電力。

發明內容

一種基于電阻的存儲器包含雙二極管存取裝置。所述雙二極管存取裝置可促進穿過選定存儲單元的雙向電流，同時減少來自未選定存儲單元的漏電流。所述雙二極管存取裝置可基于所述基于電阻的存儲器的存儲單元內的基于電阻的存儲元件的性質而設計。基于電阻的存儲元件的實例為磁隧道結(MTJ)。所述雙二極管存取裝置可基于以下各者來進行選擇：與所述MTJ相關聯的編程電壓、與所述MTJ相關聯的第一和第二臨界切換電流，或其任何組合。

在一特定實施例中，一種存儲裝置包含存儲單元，所述存儲單元包含至少一個基于電阻的存儲元件、耦合到所述基于電阻的存儲元件的第一二極管，以及耦合到所述基于電阻的存儲元件的第二二極管。穿過所述基于電阻的存儲元件的電流流經所述第一二極管或所述第二二極管。所述第一二極管的陰極耦合到所述存儲單元的位線，且所述第二二極管的陽極耦合到所述存儲單元的感測線。

在另一特定實施例中，一種設備包含存儲單元。所述存儲單元包含字線、位線、感測線，以及基于電阻的存儲元件。所述設備進一步包含用于接受來自所述字線的穿過所述基于電阻的存儲元件的電流的裝置。所述設備還包含用于接受來自所述感測線的穿過所述基于電阻的存儲元件的電流且用于抵制來自所述字線的穿過所述基于電阻的存儲元件的所述電流的裝置。

在另一特定實施例中，一種方法包含對位線和感測線施加偏壓以經由第一二極管或第二二極管產生穿過基于電阻的存儲元件的電流。所述第一二極管的陰極耦合到所述位線，且所述第二二極管的陽極耦合到所述感測線。

在另一特定實施例中，提供一種存儲可由計算機執行的指令的計算機可讀有形媒體。所述指令可由所述計算機執行以對位線和感測線施加偏壓以經由第一二極管或第二二極管產生穿過基于電阻的存儲元件的電流。所述第一二極管的陰極耦合到所述位線，且所述第二二極管的陽極耦合到所述感測線。

所揭示實施例中的至少一者提供的一個特定優點為：與存儲器陣列的未選定存儲單元相關聯的漏電流減少。所揭示實施例中的至少一者提供的另一特定優點包含存儲器陣列的選定存儲單元的存取裝置耗散的電壓較少。所揭示實施例中的至少一者提供的再一特定優點為：與存取裝置大小有關的選定存儲單元的增強的切換電流。

本發明的其它方面、優點以及特征將在審閱了包含以下章節的整件申請案之后變得顯而易見：圖式簡單說明、實施方式以及權利要求書。

附圖說明

圖1為存儲器陣列的特定說明性實施例的圖，所述存儲器陣列包含具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器；

圖2為包含存儲單元的電路的特定說明性實施例的電路圖，所述存儲單元包含具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器；

圖3為存儲單元的特定說明性實施例的圖，所述存儲單元包含具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器；

圖4為操作具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器的特定說明性實施例的狀態圖；

圖5為操作具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器的方法的特定說明性實施例的流程圖；

圖6為便攜式裝置的特定說明性實施例的框圖，所述便攜式裝置包含具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器；以及

圖7為制造程序的特定說明性實施例的數據流程圖，所述制造程序用以制造包含具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲器的電子裝置。