[發(fā)明專利]具有雙二極管存取裝置的基于電阻的存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180046114.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN103124998A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝武揚(yáng);徐鐘元;李康浩;金泰賢;金正丕;升·H·康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16;G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種存儲(chǔ)裝置，其包括：

存儲(chǔ)單元，其包括：

基于電阻的存儲(chǔ)元件；

第一二極管，其耦合到所述基于電阻的存儲(chǔ)元件；以及

第二二極管，其耦合到所述基于電阻的存儲(chǔ)元件；

其中穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的電流流經(jīng)所述第一二極管或所述第二二極管；且

其中所述第一二極管的陰極耦合到所述存儲(chǔ)單元的位線且所述第二二極管的陽極耦合到所述存儲(chǔ)單元的感測(cè)線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一二極管的陽極耦合到所述第二二極管的陰極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一二極管的所述陽極以及所述第二二極管的所述陰極各自耦合到所述基于電阻的存儲(chǔ)元件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其進(jìn)一步包括耦合到所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的第一驅(qū)動(dòng)器，以及耦合到所述位線和所述感測(cè)線的第二驅(qū)動(dòng)器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的編程電壓被配置為比與所述第一二極管相關(guān)聯(lián)的正向電壓降大三倍以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述正向電壓降是基于所述第一二極管上使得所述第一二極管能夠?qū)щ姷淖畹碗妷骸?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其進(jìn)一步包括包含所述存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述基于電阻的存儲(chǔ)元件包含磁隧道結(jié)MTJ。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一二極管的面積對(duì)所述第二二極管的面積的比率大約等于所述MTJ的第一臨界切換電流對(duì)所述MTJ的第二臨界切換電流的比率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一臨界切換電流對(duì)應(yīng)于將所述MTJ從反平行狀態(tài)切換到平行狀態(tài)的閾值電流，且其中所述第二臨界切換電流對(duì)應(yīng)于將所述MTJ從所述平行狀態(tài)切換到所述反平行狀態(tài)的閾值電流。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一二極管和所述第二二極管中的至少一者為p-n結(jié)二極管。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一二極管和所述第二二極管中的至少一者為肖特基二極管。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述第一二極管與所述第二二極管在大小、正向電壓降以及電流密度中的一者或一者以上上大體上類似。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其集成于至少一個(gè)半導(dǎo)體裸片中。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其進(jìn)一步包括選自由以下各者組成的群組的裝置：機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元以及計(jì)算機(jī)，所述存儲(chǔ)裝置集成到所述裝置中。

16.一種設(shè)備，其包括：

存儲(chǔ)單元，其包括字線、位線、感測(cè)線以及基于電阻的存儲(chǔ)元件；

用于接受來自所述字線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的電流的裝置；以及

用于接受來自所述感測(cè)線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的電流且用于抵制來自所述字線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的所述電流的裝置。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括用于將電壓施加到所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的裝置。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中將所述電壓施加到所述基于電阻的存儲(chǔ)元件產(chǎn)生來自所述字線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的所述電流。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中來自所述字線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的所述電流對(duì)應(yīng)于邏輯零寫入操作或讀取操作。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括用于將電壓施加到源極線和所述位線的裝置。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中在所述源極線處以及所述位線處施加所述電壓產(chǎn)生來自所述感測(cè)線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的所述電流。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中來自所述感測(cè)線的穿過所述基于電阻的存儲(chǔ)元件的所述電流對(duì)應(yīng)于邏輯一寫入操作。