[發明專利]太陽能電池的制造方法無效
| 申請號: | 201180044201.6 | 申請日: | 2011-10-03 |
| 公開(公告)號: | CN103109380A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 下澤慎 | 申請(專利權)人: | 富士電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;C23C16/56 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池的制造方法,所述太陽能電池具有在基板的一個表面依次層疊有第一電極、光電轉換層和第二電極的構造,所述光電轉換層構成為層疊有多個光電轉換單元的多結型光電轉換層,所述光電轉換單元具有多個層,所述太陽能電池的制造方法的特征在于:
在形成在所述第一電極上形成的最下位的所述光電轉換單元的多個層中最厚的層之后、且形成最上位的所述光電轉換單元的多個層中最厚的層之前的過程中,包括至少一個以上對在所述過程內形成的層的表面進行清洗的步驟。
2.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于,還包括:
在形成所述第二電極后,在所述第一電極與所述第二電極之間施加逆向電壓的步驟。
3.如權利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于,包括:
在所述清洗后,對所述清洗面實施氫等離子體處理、氬等離子體處理或者CF4等離子體處理的步驟。
4.如權利要求3所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
在所述清洗之前,將要進行清洗的層的膜厚預先成膜為比設計膜厚厚,在所述清洗之后,對所述清洗面實施氫等離子體處理、氬等離子體處理或者CF4等離子體處理來進行蝕刻處理,由此使進行了所述清洗的層的膜厚成為規定的設計膜厚。
5.如權利要求1~4中任一項所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
所述清洗是通過使清洗輥接觸所述清洗面而進行的。
6.如權利要求5所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
所述清洗輥為刷輥、粘附輥或者海綿輥。
7.如權利要求1~4中任一項所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
所述清洗為通過吹空氣進行的清洗或者為浸漬于液體的狀態下的超聲波清洗。
8.如權利要求1~7中任一項所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
所述光電轉換單元為pin結結構或nip結結構。
9.如權利要求8所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
設置于所述光電轉換單元的i層為非單晶的硅類膜,在所述光電轉換單元的p層、i層和n層中,i層最厚。
10.如權利要求9所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
設置于多個所述光電轉換單元中的至少一個光電轉換單元中的所述i層為非晶硅層或者非晶硅合金層,所述i層的膜厚在50nm~500nm的范圍內。
11.如權利要求9所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
設置于多個所述光電轉換單元中的至少一個光電轉換單元中的所述i層為微晶硅層或者微晶硅合金層,所述i層的膜厚在1μm~3μm的范圍內。
12.如權利要求1~7中任一項所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
所述光電轉換單元為pn結結構或np結結構。
13.如權利要求12所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
設置于所述光電轉換單元的p層為CIS層、CIGS層和CdTe層中的任一個,在所述光電轉換單元的p層和n層內,p層最厚。
14.如權利要求13所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
設置于多個所述光電轉換單元中的至少一個光電轉換單元中的所述p層為CIS層或者CIGS層,所述p層的膜厚在1μm~3μm的范圍內。
15.如權利要求13所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
設置于多個所述光電轉換單元中的至少一個光電轉換單元中的所述p層為CdTe層,所述p層的膜厚在3μm~7μm的范圍內。
16.如權利要求8~15中任一項所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于:
在np反向結的n層的成膜和p層的成膜之間實施所述清洗步驟。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





