[發明專利]半導體裝置用薄膜以及半導體裝置有效
| 申請號: | 201180042800.4 | 申請日: | 2011-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN103081069A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 天野康弘;木村雄大 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00;H01L21/52 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 薄膜 以及 | ||
技術領域
本發明涉及半導體裝置用薄膜以及使用該半導體裝置用薄膜制造的半導體裝置。
背景技術
以往,在半導體裝置的制造過程中,在往引線框或電極構件上固定半導體芯片時使用銀漿。所述固定處理是在引線框的芯片焊盤等上涂布漿狀膠粘劑,在其上搭載半導體芯片并使漿狀膠粘劑層固化來進行的。
但是,漿料膠粘劑由于其粘度行為或劣化等而在涂布量或涂布形狀等方面產生大的偏差。結果,形成的漿狀膠粘劑厚度不均勻,因此半導體芯片的固定強度缺乏可靠性。即,漿狀膠粘劑的涂布量不足時半導體芯片與電極構件之間的固定強度降低,在后續的絲焊工序中半導體芯片剝離。另一方面,漿狀膠粘劑的涂布量過多時漿狀膠粘劑流延到半導體芯片上而產生特性不良,成品率和可靠性下降。這樣的固定處理中的問題,伴隨半導體芯片的大型化變得特別顯著。因此,需要頻繁地進行漿狀膠粘劑的涂布量的控制,從而給作業性或生產率帶來問題。
在該漿狀膠粘劑的涂布工序中,有將漿狀膠粘劑分別涂布到引線框和形成的芯片上的方法。但是,在該方法中,漿狀膠粘劑層難以均勻化,另外漿狀膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長時間。因此,提出了在切割工序中膠粘保持半導體芯片、并且還提供安裝工序所需的芯片固定用膠粘劑層的帶有切割薄膜、切割片的膠粘薄膜(例如,參考專利文獻1)。
該帶有切割片的膠粘薄膜中,以可剝離的方式在支撐基材上設置有膠粘劑層,在該膠粘劑層的保持下對半導體芯片進行切割后,拉伸支撐基材而將形成的芯片與膠粘劑層一起剝離,將其分別回收,并通過該膠粘劑層固定到引線框等被粘物上。
以往,由于制造工序上的制約,帶有切割片的膠粘薄膜是在分別制作切割薄膜和膠粘薄膜后,將兩者粘貼來制作的。因此,從防止各薄膜制作工序中產生松弛或卷偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮,在利用輥進行搬運時對各薄膜施加拉伸張力的同時進行其制作。
這種帶有切割片的膠粘薄膜有時放置在高溫、高濕的環境下或者在施加有負荷的狀態下長期保存時發生固化。結果,導致膠粘劑層的流性或對半導體晶片的保持力下降、切割后的剝離性下降。因此,多數情況下帶有切割片的膠粘薄膜在以-30~-10℃下的冷凍、或者-5~10℃下的冷藏狀態保存的同時進行運送,由此可以長期保存薄膜特性。
作為上述的帶有切割片的膠粘薄膜,考慮到往半導體晶片上的粘貼、切割時往環框上安裝等的作業性,預先加工為待粘貼的半導體晶片的形狀(例如圓形),以實施了預切割加工的狀態存在。
這樣的帶有切割片的膠粘薄膜,通過在將沖裁為圓形的膠粘薄膜粘貼到在基材上層疊有粘合劑層的切割薄膜上后,將切割薄膜沖裁為與環框對應的圓形來制造。由此,在切割半導體晶片時,可以將環框粘貼到切割薄膜的外周部,從而固定帶有切割片的膠粘薄膜。
進行了預切割加工的帶有切割片的膠粘薄膜,以預定的間隔粘貼在長尺寸的覆蓋薄膜上后,卷繞為卷筒狀,作為半導體裝置用薄膜進行運送和保存。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開昭60-57642號公報
發明內容
但是,在上述半導體裝置用薄膜的情況下,層疊有帶有切割片的膠粘薄膜的部分的厚度比未層疊的部分的厚度厚。因此,特別是在卷繞數增大或者卷繞時的張力提高時,一個帶有切割片的膠粘薄膜的邊緣按壓在另一個帶有切割片的膠粘薄膜上而轉印卷繞痕跡,從而有時膠粘薄膜的平滑性喪失。這樣的轉印痕跡,特別是在膠粘薄膜由比較柔軟的樹脂形成時、膠粘薄膜的厚度厚時以及半導體裝置用薄膜的卷繞數多時顯著產生。而且,具有這樣的轉印痕跡、平滑性存在缺陷的膠粘薄膜被粘貼到半導體晶片上時,在半導體晶片與膠粘薄膜之間產生空隙(氣泡)。這樣的空隙有可能在半導體晶片加工時引起故障,從而降低制造的半導體裝置的成品率。
因此,為了抑制上述轉印痕跡的產生,考慮了減弱半導體裝置用薄膜的卷繞壓力的方法。但是,該方法有可能產生卷繞偏移,例如造成難以往膠帶貼裝器(テープマウンター)上安置等實際使用時的故障。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





