[發明專利]半導體裝置用薄膜以及半導體裝置

有效

• 申請號: 201180042800.4
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN103081069A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 天野康弘;木村雄大
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00;H01L21/52
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種半導體裝置用薄膜，將在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以預定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到，其特征在于，

23℃下切割薄膜的拉伸儲能模量Ea與23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲能模量Eb之比Ea/Eb在0.001～100的范圍內。

2.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

所述膠粘薄膜的玻璃化轉變溫度在0～100℃的范圍內，并且固化前在23℃下的拉伸儲能模量在50MPa～5000MPa的范圍內。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

所述覆蓋薄膜的厚度為10～100μm。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

所述切割薄膜的厚度為25～180μm。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

23℃下所述切割薄膜的拉伸儲能模量Ea為1～500MPa。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

23℃下所述覆蓋薄膜的拉伸儲能模量Eb為1～5000MPa。

7.一種使用權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置用薄膜制造的半導體裝置。