[發(fā)明專利]磁控管濺射設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180034051.0
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN103109344A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H.羅爾曼;M.杜布斯
• 申請（專利權(quán)）人: OC歐瑞康巴爾斯公司
• 主分類號: H01J37/34
• 分類號: H01J37/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;李浩

1.一種磁控管濺射設(shè)備，包括：基板支承件(2)，其在基板平面內(nèi)限定了平面的基板表面(4)，其中縱向中心平面(5)與該基板表面(4)沿著縱向中心線(6)垂直地相交，用于承載基板(3)；標(biāo)靶組件，具有兩個基本上長方形的標(biāo)靶(7a,7b)，所述標(biāo)靶(7a,7b)在所述縱向中心平面(5)的相對側(cè)處被平行地布置在所述基板支承件(2)的上方，每個標(biāo)靶(7a,7b)具有標(biāo)靶板(8a；8b)，其中標(biāo)靶表面(9a；9b)面向所述基板表面(4)且在縱向上延伸超過所述基板表面(4)的邊界，以及磁鐵構(gòu)造(10a；10b)被布置在與所述標(biāo)靶表面(9a；9b)相對的所述標(biāo)靶板(8a；8b)的背側(cè)處，

其特征在于，每個標(biāo)靶板(8a；8b)相對于所述基板平面(4)朝向縱軸附近的所述中心平面(5)傾斜，使得在所述標(biāo)靶表面(9a；9b)的中心點(diǎn)(11a；11b)處的所述標(biāo)靶表面(9a,9b)的面法線在所有情況下都被基本上指引向所述基板表面(4)，所述標(biāo)靶板的所述標(biāo)靶表面(9a,9b)圍成小于180°的角度，以及提供至少一個準(zhǔn)直器(13,13a,13b)，所述至少一個準(zhǔn)直器(13,13a,13b)具有在與所述縱向中心平面(5)基本上垂直的側(cè)向上延伸的基本上平面的平行準(zhǔn)直器板，所述至少一個準(zhǔn)直器(13,13a,13b)被置于標(biāo)靶表面(9a,9b)與基板表面(4)之間。

2.如權(quán)利要求1所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述磁控管濺射設(shè)備相對于所述中心平面(5)對稱。

3.如權(quán)利要求1或2所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于偏心度(x)在80mm與150mm之間，優(yōu)選在100mm與130mm之間，所述偏心度(x)是每個標(biāo)靶表面(9a,9b)的中心點(diǎn)(11a；11b)與所述中心平面(5)的距離。

4.如權(quán)利要求1至3之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于高度(d)在70mm與250mm之間，所述高度(d)是每個標(biāo)靶表面(9a,9b)的中心點(diǎn)(11a；11b)與所述基板平面(4)的距離。

5.如權(quán)利要求1至4之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于每個標(biāo)靶表面(9a,?9b)相對于所述基板平面的傾斜(β；-β)的絕對值在8°與35°之間。

6.如權(quán)利要求1至5之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述基板表面(4)具有100mm與305mm之間的直徑。

7.如權(quán)利要求1至5之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述準(zhǔn)直器板基本上垂直于所述基板平面(4)。

8.如權(quán)利要求1至7之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于提供了兩個分離的準(zhǔn)直器(13a,13b)，其中的每個被分配給所述標(biāo)靶(7a,?7b)之一且被布置在其標(biāo)靶表面(9a；9b)的前方一定距離處。

9.如權(quán)利要求8所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述準(zhǔn)直器板是梯形的，其中上邊緣在所有情況下基本上平行于其標(biāo)靶(7a,?7b)的所述標(biāo)靶表面(9a；9b)。

10.如權(quán)利要求1至7之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于提供單個準(zhǔn)直器(13)，其被布置在所述基板表面(4)的前方的一定距離處。

11.如權(quán)利要求10所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述準(zhǔn)直器板基本上為矩形，其中下邊緣與所述基板表面(4)基本上平行。

12.如權(quán)利要求11所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述準(zhǔn)直器(13)與所述基板表面的距離(b)基本上為所述準(zhǔn)直器(13)在垂直于所述基板表面(4)的方向上的延伸(h)的倍數(shù)。

13.如權(quán)利要求10至12之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于每個準(zhǔn)直器板的厚度作為與所述中心平面(4)的距離的函數(shù)而在側(cè)向上增加。

14.如權(quán)利要求1至13之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述準(zhǔn)直器(13a,13b,13)的縱橫比在各處處于0.3至2.5之間。

15.如權(quán)利要求1至14之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述標(biāo)靶板(8a,?8b)在所有情況下由至少第一部分和第二部分構(gòu)成，所述第二部分圍繞所述第一部分且通過狹縫與所述第一部分分離，其中所述磁鐵構(gòu)造(10a；10b)的第一磁極被置于所述第一部分的背部處且所述磁鐵構(gòu)造的第二磁極被置于所述第二部分的背部處。

16.如權(quán)利要求1至15之一所述的磁控管濺射設(shè)備，其特征在于所述磁控管濺射設(shè)備進(jìn)一步包括真空室(1)，其中收容了所述基板支承件(2)、所述標(biāo)靶組件以及所述至少一個準(zhǔn)直器(13a,13b,13)。