[發(fā)明專(zhuān)利]光掩模單元及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180017361.1
• 申請(qǐng)日: 2011-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102822744A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋山昌次;久保田芳宏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/62
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/62;G03F1/64;H01L21/027
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于用于生產(chǎn)大規(guī)模積體電路及超大規(guī)模積體電路等半導(dǎo)體器件或液晶顯示器時(shí)，做為光掩模和中間光掩模等曝光用原版（本說(shuō)明書(shū)將其總稱(chēng)為“光掩模”）的防塵罩而被使用的光刻用防塵薄膜組件和具有光掩模的光掩模單元的制造方法。更為具體的是，關(guān)于使用極短的短波長(zhǎng)的光，將感光膜曝光，適于形成微小圖案的光掩模單元及光掩模單元的制造方法。?

背景技術(shù)

當(dāng)生產(chǎn)大規(guī)模積體電路及超大規(guī)模集成電路等半導(dǎo)體器件或者液晶顯示器時(shí)，于半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板上所形成的光刻感光膜，通過(guò)光掩模，被曝光用的光照射，光掩模的圖案被轉(zhuǎn)印，就可形成半導(dǎo)體器件或者液晶顯示器的圖案。?

因此，在這種情況下，如果光掩模上附著塵垢等異物，曝光用的光就會(huì)被反射或被吸收，于半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板上所形成的感光膜上被轉(zhuǎn)印的圖案不僅會(huì)發(fā)生變形、圖案的邊緣部分變得不鮮明，而且底板發(fā)黑變臟，產(chǎn)品的尺寸、質(zhì)量、外形等就會(huì)受損。半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板就不能象所希望的那樣轉(zhuǎn)印光掩模的圖案，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板的性能低下、成品率惡化等問(wèn)題的發(fā)生。?

為防止有關(guān)問(wèn)題的發(fā)生，半導(dǎo)體晶圓或液晶原板上所形成的感光膜的曝光，需在無(wú)塵室內(nèi)進(jìn)行，但盡管如此，要完全避免光掩模的表面附著異物非常困難。因此，我們通常要在光掩模的表面安裝對(duì)曝光用的光有高透過(guò)率的被稱(chēng)為防塵薄膜組件的防塵罩，以對(duì)半導(dǎo)體晶圓或液晶原板進(jìn)行曝光。?

一般來(lái)說(shuō)，防塵薄膜組件的制造如下：防塵薄膜由對(duì)曝光用光有高透射率的硝化纖維素、醋酸纖維素等纖維素系樹(shù)脂和氟化樹(shù)脂等制成；而防塵薄膜組件框架藉由鋁、不銹鋼、聚乙烯等形成；防塵薄膜?的張?jiān)O(shè)在防塵薄膜組件框架的一個(gè)端面，涂上防塵薄膜材料的良溶媒，風(fēng)干，將防塵薄膜粘貼，或者用丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂和氟樹(shù)脂等粘合劑將防塵薄膜貼上。在防塵薄膜組件框架的另一表面，形成由聚丁烯樹(shù)脂、聚醋酸乙烯基樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂等的能將光掩模附著于其上的粘著層。而且，在粘著層上設(shè)置用以保護(hù)粘著層的離型層(分離器)而制成。（例如，參照特開(kāi)昭和58-219023號(hào)公報(bào)，美國(guó)專(zhuān)利第4861402號(hào)說(shuō)明書(shū)，特公昭和63-27707號(hào)公報(bào)及特開(kāi)平成7-168345號(hào)公報(bào)等）。?

將如此構(gòu)成的防塵薄膜組件安裝于光掩模的表面，通過(guò)光掩模，對(duì)在半導(dǎo)體晶圓或液晶原版上所形成的感光膜進(jìn)行曝光時(shí)，塵垢等異物附著于防塵薄膜組件的表面，因未直接附著于光掩模的表面，所以只要使焦點(diǎn)位于光掩模所形成的圖案上，照射曝光用的光即可，這樣就可以去除塵垢等異物的影響。?

圖1是將防塵薄膜組件安裝于光掩模之上的傳統(tǒng)光掩模單元的簡(jiǎn)單平面圖，圖2是沿圖1的A-A線的簡(jiǎn)單斷面圖。?

如圖1及圖2所示，光掩模單元1具有光掩模2、由防塵薄膜6及框架狀的防塵薄膜組件框架7所構(gòu)成的防塵薄膜組件5。將防塵薄膜6側(cè)部近旁區(qū)域粘在防塵薄膜組件框架7的一個(gè)端面，將防塵薄膜組件框架7的另一個(gè)端面用由有機(jī)物質(zhì)形成的粘著劑（圖中未表示），如此就可以將防塵薄膜組件固定在光掩模2的表面上。?

這樣，因光掩模2的表面遮蓋有作為防塵罩的防塵薄膜組件5，在對(duì)半導(dǎo)體晶圓或液晶原版上所形成的感光膜進(jìn)行曝光時(shí)，塵垢等異物附著于防塵薄膜6的表面，因未直接附著于光掩模2的表面，只要使爆光的光的焦點(diǎn)位于光掩模2所形成的圖案上即可。如此,就可以使塵垢等異物的影響得以消除。?

另一方面，近年來(lái)，半導(dǎo)體器件及液晶顯示器的發(fā)展越來(lái)越高度積體化、細(xì)微化。現(xiàn)在，在感光膜上形成45nm左右微小圖案的技術(shù)也正在被實(shí)用化。如果是45nm左右的圖案，可以由在半導(dǎo)體晶圓或液晶用原版和投影鏡片的間填滿超純水等液體，使用氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光，對(duì)感光膜進(jìn)行曝光的浸液曝光技術(shù)及兩次曝光等傳統(tǒng)使用準(zhǔn)分子激光曝光技術(shù)的改良就可以對(duì)應(yīng)。?

但是，下一代的半導(dǎo)體器件和液晶顯示器，要求形成更加細(xì)微化?的32nm或其以下的圖案。要形成如此細(xì)微化的32nm或其以下的圖案，以改良傳統(tǒng)的使用準(zhǔn)分子激光的曝光技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)已經(jīng)是不可能了。做為形成32nm或其以下圖案的方法，使用主波長(zhǎng)為13.5nm的EUV（極端紫外線）光而形成圖案的EUV曝光技術(shù)被視為最優(yōu)選的技術(shù)。?

使用此EUV曝光技術(shù)，于感光膜上形成32nm或其以下的微小圖案時(shí)，解決使用何種光源、使用何種感光膜、使用何種防塵薄膜組件等技術(shù)課題成為必要條件。?