[發(fā)明專利]二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180013043.8
• 申請(qǐng)日: 2011-03-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102792184A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤賢治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社島津制作所
• 主分類號(hào): G01T1/24
• 分類號(hào): G01T1/24;A61B6/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法。

背景技術(shù)

作為在X射線攝影裝置中使用的二維陣列X射線檢測(cè)器，例如已知一種平板檢測(cè)器(FPD)。該平板檢測(cè)器具有如下結(jié)構(gòu)：在將TFT等開(kāi)關(guān)元件配置成二維陣列(矩陣)狀的基板上蒸鍍了a-Se(非晶硒)等轉(zhuǎn)換膜。在該平板檢測(cè)器中，當(dāng)穿過(guò)被檢體而形成的X射線圖像被投影到轉(zhuǎn)換膜上時(shí)，在轉(zhuǎn)換膜內(nèi)產(chǎn)生與圖像的濃度成比例的電荷信號(hào)。利用被配置成二維陣列狀的像素電極來(lái)收集該電荷信號(hào)，并蓄積到靜電電容(capacitance)中。隨著開(kāi)關(guān)元件的動(dòng)作讀出靜電電容所蓄積的電荷，并將該電荷作為電信號(hào)發(fā)送到圖像處理部來(lái)進(jìn)行圖像處理(參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2008-301883號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

在使用了這種a-Se等轉(zhuǎn)換膜的二維陣列X射線檢測(cè)器中，有時(shí)在制造過(guò)程中產(chǎn)生缺陷像素。在使用二維陣列X射線檢測(cè)器的期間，這些缺陷像素中的部分缺陷像素的數(shù)量、尺寸急劇增長(zhǎng)，短時(shí)間內(nèi)會(huì)妨礙X射線攝影。這樣，關(guān)于存在具有在短時(shí)間內(nèi)急劇增長(zhǎng)的增長(zhǎng)性的缺陷像素的二維陣列X射線檢測(cè)器，由于缺陷像素造成不能準(zhǔn)確地進(jìn)行X射線攝影，因此不能將該二維陣列X射線檢測(cè)器用于X射線攝影裝置等。

另一方面，并非所有的缺陷像素均是具有像這樣地在短時(shí)間內(nèi)急劇增長(zhǎng)的增長(zhǎng)性的缺陷像素。關(guān)于不具有增長(zhǎng)性的缺陷像素，通過(guò)進(jìn)行缺陷登記并對(duì)像素值進(jìn)行插值，能夠?qū)⒕邆溥@種缺陷像素的二維陣列X射線檢測(cè)器用于X射線攝影。

因此，關(guān)于缺陷像素，需要判斷其是急劇增長(zhǎng)的缺陷像素還是尺寸不發(fā)生變化的缺陷像素，但是現(xiàn)狀是，即使考慮二維陣列X射線檢測(cè)器中的缺陷數(shù)量、缺陷尺寸等，也仍無(wú)法進(jìn)行這種判斷。

本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供如下一種二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法：通過(guò)對(duì)具有在短時(shí)間內(nèi)其尺寸變大的增長(zhǎng)性的缺陷像素進(jìn)行識(shí)別，能夠識(shí)別不適合于X射線攝影的二維陣列X射線檢測(cè)器。

用于解決問(wèn)題的方案

發(fā)明1中記載的發(fā)明是一種二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，該二維陣列X射線檢測(cè)器具備：轉(zhuǎn)換膜，其感應(yīng)X射線并輸出與入射的X射線劑量相對(duì)應(yīng)的電荷信號(hào)；共用電極，其形成在上述轉(zhuǎn)換膜的表面，對(duì)上述轉(zhuǎn)換膜施加偏置電壓；多個(gè)像素電極，其在上述轉(zhuǎn)換膜的與上述共用電極相反一側(cè)的表面與像素相對(duì)應(yīng)地配置成矩陣狀；多個(gè)儲(chǔ)能電容，其分別與各上述像素電極相連接并蓄積電荷信號(hào)；開(kāi)關(guān)元件，其與上述像素電極相連接；柵極驅(qū)動(dòng)器，其在讀出信號(hào)時(shí)通過(guò)柵極總線使各開(kāi)關(guān)元件依次導(dǎo)通；以及數(shù)據(jù)集成部，其通過(guò)數(shù)據(jù)總線讀出各上述儲(chǔ)能電容所蓄積的電荷信號(hào)，該二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法包括以下步驟：偏置電壓步驟，多次反復(fù)利用上述共用電極施加偏置電壓和停止施加偏置電壓；暗電流值測(cè)量步驟，對(duì)沒(méi)有照射X射線的狀態(tài)下的各像素的像素值進(jìn)行測(cè)量；缺陷像素識(shí)別步驟，根據(jù)在上述暗電流值測(cè)量步驟中測(cè)量出的各像素的像素值來(lái)識(shí)別缺陷像素；以及判斷步驟，根據(jù)在上述缺陷像素識(shí)別步驟中識(shí)別出的缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸來(lái)判斷二維陣列X射線檢測(cè)器是否合適。

發(fā)明2中記載的發(fā)明為，在發(fā)明1中記載的發(fā)明中，上述偏置電壓步驟中的施加偏置電壓的時(shí)間和停止施加偏置電壓的時(shí)間是通過(guò)測(cè)量缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸隨時(shí)間的變化來(lái)預(yù)先設(shè)定為上述轉(zhuǎn)換膜的電荷狀態(tài)穩(wěn)定的期間的時(shí)間。

發(fā)明3中記載的發(fā)明是一種二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，該二維陣列X射線檢測(cè)器具備：轉(zhuǎn)換膜，其感應(yīng)X射線并輸出與入射的X射線劑量相對(duì)應(yīng)的電荷信號(hào)；共用電極，其形成在上述轉(zhuǎn)換膜的表面，對(duì)上述轉(zhuǎn)換膜施加偏置電壓；多個(gè)像素電極，其在上述轉(zhuǎn)換膜的與上述共用電極相反一側(cè)的表面與像素相對(duì)應(yīng)地配置成矩陣狀；多個(gè)儲(chǔ)能電容，其分別與各上述像素電極相連接并蓄積電荷信號(hào)；開(kāi)關(guān)元件，其與上述像素電極相連接；柵極驅(qū)動(dòng)器，其在讀出信號(hào)時(shí)通過(guò)柵極總線使各開(kāi)關(guān)元件依次導(dǎo)通；以及數(shù)據(jù)集成部，其通過(guò)數(shù)據(jù)總線讀出各上述儲(chǔ)能電容所蓄積的電荷信號(hào)，該二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法的特征在于，包括以下步驟：偏置電壓步驟，多次反復(fù)利用上述共用電極施加偏置電壓和施加反向偏置電壓；暗電流值測(cè)量步驟，對(duì)沒(méi)有照射X射線的狀態(tài)下的各像素的像素值進(jìn)行測(cè)量；缺陷像素識(shí)別步驟，根據(jù)在上述暗電流值測(cè)量步驟中測(cè)量出的各像素的像素值來(lái)識(shí)別缺陷像素；以及判斷步驟，根據(jù)在上述缺陷像素識(shí)別步驟中識(shí)別出的缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸來(lái)判斷二維陣列X射線檢測(cè)器是否合適。